技術(shù)編號：7244485
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明揭示了一種，該方法包括提供基底，所述基底具有N阱區(qū)、P阱區(qū)和淺槽隔離，所述淺槽隔離用于隔離所述N阱區(qū)和所述P阱區(qū)，所述N阱區(qū)和所述P阱區(qū)表面自下至上具有氧化物層和氮化物層；去除所述氮化物層，以露出所述氧化物層，露出的所述氧化物層形成剩余氧化物層，形成補(bǔ)償氧化層；對所述剩余氧化物層進(jìn)行氧化處理，以形成補(bǔ)償氧化層。本發(fā)明的，能夠保證器件溝道閾值電壓具有較佳的穩(wěn)定性，提高器件的性能。專利說明[0001]本發(fā)明涉及集成電路制造領(lǐng)域，特別是涉及一種。背景技術(shù)[...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。