技術(shù)編號(hào)：7244743
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。超結(jié)半導(dǎo)體器件的漂移層包括第一導(dǎo)電型的第一部分以及與第一導(dǎo)電型相反的第二導(dǎo)電型的第二部分。第一和第二部分可形成于存儲(chǔ)區(qū)和環(huán)繞存儲(chǔ)區(qū)的邊緣區(qū)內(nèi)，其中通過(guò)漂移層的通態(tài)或正向電流流經(jīng)存儲(chǔ)區(qū)內(nèi)的第一部分。第一和第二部分的至少一個(gè)而不是存儲(chǔ)區(qū)內(nèi)的第一部分包含輔助雜質(zhì)或具有輔助結(jié)構(gòu)以局部降低雪崩率。局部降低雪崩率增大了超結(jié)半導(dǎo)體器件的總電壓阻斷能力。專利說(shuō)明包括存儲(chǔ)區(qū)和邊緣區(qū)的超結(jié)半導(dǎo)體器件[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件。背景技術(shù)[0002]在具有超結(jié)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。