技術(shù)編號(hào):7245193
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)施例,該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括半導(dǎo)體襯底;形成在半導(dǎo)體襯底中的淺溝槽隔離(STI)部件,其中STI部件是連續(xù)隔離部件并且包括位于第一區(qū)域中的第一部分和位于第二區(qū)域中的第二部分,STI部件的第一部分相對(duì)于STI部件的第二部分凹陷;位于半導(dǎo)體襯底中且鄰接STI部件的有源區(qū);設(shè)置在有源區(qū)上且在第一方向上延伸至STI部件的第一區(qū)域的柵極堆疊件;形成在有源區(qū)中并且柵極堆疊件介于其間的源極和漏極部件;以及形成在有源區(qū)中且在第二方向上在源極和漏極部件...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
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