技術(shù)編號：7245269
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明公開一種制作掩埋PN結(jié)勢壘肖特基二極管的方法，該方法通過在原有的基礎(chǔ)硅外延層的上方增設(shè)一層新的附加硅外延層，這樣有多個掩埋體掩埋在新的外延表面以下，形成多個隔離的PN結(jié)，在反向電壓的情況下，這些PN結(jié)形成的空泛層會防護肖特基勢壘介面而減低反向電壓的電場影響，因而減少反向電壓增加對反向漏電變大的負面效應(yīng)，并且肖特基勢壘介面也保持其原先的面積，在正向電壓情況下，可以保持其正向電流導(dǎo)通的功能及效率。專利說明制作掩埋PN結(jié)勢壘肖特基二極管的方法[0001]本...
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