技術編號：7245298
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明實施例提供，所述半導體結構包括P型襯底；位于所述P型襯底之上的介質層；位于所述介質層之上的高k材料層；位于所述高k材料層之上的金屬柵層；以及位于所述金屬柵層之上的高功函數(shù)層，其中，所述高功函數(shù)層所用材料的功函數(shù)大于所述金屬柵層所用材料的功函數(shù)。相對于現(xiàn)有技術中僅有金屬柵層的半導體結構來說，本發(fā)明實施例提供的半導體結構中金屬柵電極的功函數(shù)有明顯增大，相應地，本發(fā)明實施例提供的半導體結構的閾值電壓相對于現(xiàn)有技術中僅有金屬柵層的半導體結構的閾值電壓能夠明顯...
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