技術(shù)編號：7246176
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明公開了一種，在去除偽多晶硅及介電層后執(zhí)行氟離子注入，并在形成襯墊氧化物后進行第一次退火，在形成高介電層后執(zhí)行第二次退火，使氟離子由襯底的溝道區(qū)擴散至襯墊氧化層和高介電層，與不穩(wěn)定的氫鍵結(jié)合形成氟硅基團，降低了氟離子由偽多晶硅擴散入高介電層過程中工藝的不可控性和工藝難度。專利說明[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件制造領(lǐng)域，尤其涉及一種高介電層金屬柵(HKMG)器件的制造方法。背景技術(shù)[0002]隨著半導(dǎo)體集成電路的發(fā)展，現(xiàn)有的半導(dǎo)體器件，如互補金屬氧化物...
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