技術(shù)編號：7246970
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)，包括P型襯底中的N型深阱，N型深阱上部的P阱、N+擴(kuò)散區(qū)和場氧化區(qū)，P阱上部的P+擴(kuò)散區(qū)、N+擴(kuò)散區(qū)和場氧化區(qū)，多晶硅柵極生長在N型深阱和P阱的上方；其中，所述P阱上部的N+擴(kuò)散區(qū)靠近多晶硅柵極的一側(cè)還有一P+有源區(qū)，所述P+有源區(qū)與所述P阱上部N+擴(kuò)散區(qū)之間具有場氧化區(qū)，P阱上部的P+擴(kuò)散區(qū)和N+擴(kuò)散區(qū)相接引出作為接地端，所述P+有源區(qū)通過電阻和電容與所述N型深阱上部的N+擴(kuò)散區(qū)相接引出作為靜電輸入端，多晶硅柵極引出連接在所...
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