技術(shù)編號：7247020
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供一種高Q電感及制備方法。首先，將半導(dǎo)體基底的一表面腐蝕成深坑狀；接著，在所述半導(dǎo)體基底的另一表面形成支撐層；隨后再在所述支撐層的表面相對于深坑的位置形成包含多層金屬線圈的電感結(jié)構(gòu)；最后，對已形成電感結(jié)構(gòu)的基底結(jié)構(gòu)進(jìn)行腐蝕，來去除深坑與電感結(jié)構(gòu)間的半導(dǎo)體基底材料，使半導(dǎo)體基底被掏空，由此形成的電感的Q值比傳統(tǒng)集成電感提高了數(shù)倍；且本法工藝簡單，成本低廉。專利說明高Q電感及制備方法[0001]本發(fā)明涉及集成電路領(lǐng)域，特別是涉及一種高Q電感及制備方法。...
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