技術(shù)編號(hào)：7253315
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。根據(jù)該GaN類HFET，形成柵極絕緣膜(17)的半絕緣膜的電阻率ρ為3.9×109Ωcm，該電阻率ρ的值是電流密度為6.25×10-4(A/cm2)時(shí)的值。通過具有電阻率ρ＝3.9×109Ωcm的半絕緣膜構(gòu)成的柵極絕緣膜(17)，能夠得到1000V的耐受電壓。如圖所示，在柵極絕緣膜的電阻率超過1×1011Ωcm時(shí)耐受電壓急劇降低，在柵極絕緣膜的電阻率低于1×107Ωcm時(shí)，柵極泄漏電流增大。專利說明[0001]本發(fā)明涉及例如MIS (金屬/絕緣體/半導(dǎo)體)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。