技術(shù)編號(hào)：7255265
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及。背景技術(shù)'光伏發(fā)電是太陽(yáng)能利用中很重要的一個(gè)領(lǐng)域，國(guó)內(nèi)大部分現(xiàn)有的單晶量產(chǎn)的效率在17%—18% ，尋求新技術(shù)，新材料，新工藝，提高電池轉(zhuǎn)換效率，降低成本是當(dāng)前很迫切的一個(gè)任務(wù)?？滩勐駯烹姌O單晶硅太陽(yáng)電池因其埋柵電極的獨(dú)特結(jié)構(gòu)，電池的制作工藝省去了復(fù)雜的光刻，使整個(gè)電池制作工藝大大簡(jiǎn)化；埋柵不僅減小了電極陰影面積，還可減小歐姆接觸電阻，是一種可實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的高效電池技術(shù)。目前已有的刻槽埋柵的方法有兩種，機(jī)械刻槽和激光刻槽。機(jī)械刻槽是采用金剛石刀具...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。