技術編號：7255483
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明提供了一種。一種石墨烯器件的制造方法，基于側(cè)墻的雙重圖形化的工藝，利用傳統(tǒng)晶體管中制作側(cè)墻的工藝制作硬掩膜圖形，具有工藝簡單、線條寬度窄、邊緣平滑、與CMOS工藝兼容等優(yōu)點。同時，利用先進的淀積技術，可以將石墨烯制作成寬度10nm甚至5nm以下的邊緣平滑的石墨烯納米帶，以產(chǎn)生足夠的能隙以使石墨烯器件在室溫下有足夠的開關比。專利說明[0001]本發(fā)明涉及領域，特別地，涉及一種基于側(cè)墻雙重圖形化的石墨烯納米帶器件的制造方法。背景技術[0002]自第一個晶...
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