技術編號：7257351
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明公開了一種存儲器結構及其制造方法與半導體元件，該存儲器結構至少包括多個存儲器元件以及多條位線。位線分別連接各個存儲器元件，且這些位線是由互相平行的雙層位線所構成。因此，能達成通過增加位線線寬來降低其電阻。專利說明存儲器結構及其制造方法與半導體元件 [0001] 本發(fā)明是有關于一種半導體元件，且特別是有關于一種能降低位線阻值的存儲器 結構及其制造方法與半導體元件。 背景技術 [0002] 近年來存儲器元件的工藝已往納米世代發(fā)展，從早年的數(shù)百納...
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