技術(shù)編號：7257665
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)說涉及一種，用于對放置于反應(yīng)腔室中靜電卡盤之上的硅片進行深硅刻蝕工藝，該方法包括如下步驟向反應(yīng)腔室中通入制程氣體，制程氣體包括刻蝕氣體、側(cè)壁鈍化氣體和含氫氣體，含氫氣體占制程氣體的比例低于50%，含氫氣體和刻蝕氣體的流量比例為110至12；向反應(yīng)腔室施加射頻功率，以產(chǎn)生等離子體對硅片進行刻蝕工藝與側(cè)壁鈍化工藝。該方法在stead-state深硅刻蝕工藝中利于達(dá)成刻蝕反應(yīng)和側(cè)壁鈍化反應(yīng)的平衡，從而側(cè)壁出現(xiàn)pinhole形貌的幾率大大降低、pinhole的...
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