技術(shù)編號：7259081
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。一種半導(dǎo)體功率器件包括一個(gè)厚底部絕緣物，形成在半導(dǎo)體外延區(qū)的溝槽底部。一個(gè)導(dǎo)電柵極電極形成在底部絕緣物上方的溝槽中。柵極電極通過底部絕緣物和柵極絕緣物，與外延區(qū)電絕緣。在底部絕緣物和外延半導(dǎo)體區(qū)之間的交界面附近，專門將電荷引入到厚底部絕緣物中。專利說明通過厚底部絕緣物中的感應(yīng)凈電荷區(qū)的性能優(yōu)良的MOSFET[0001]本發(fā)明主要涉及半導(dǎo)體功率場效應(yīng)晶體管器件，尤其是具有優(yōu)良的漏源導(dǎo)通電阻的厚底部氧化物(TBO) MOSFET器件。背景技術(shù)[0002]基于各...
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