技術(shù)編號：7259246
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種。所述氮化鎵基半導(dǎo)體器件包括同時摻雜有相對較高濃度的硼（B）和鍺（Ge）的硅基襯底、所述硅基襯底上的緩沖層、以及所述緩沖層上的氮化物疊層。硼（B）和鍺（Ge）的摻雜濃度可以大于1×1019/cm3。專利說明[0001]相關(guān)申請的交叉引用[0002]本申請要求于2012年6月12日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請第10-2012-0062862的優(yōu)先權(quán)，其公開內(nèi)容通過引用方式整體并入本文中。[0003]本發(fā)明示例實施例涉及氮化鎵基(AlxI...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。