技術(shù)編號(hào)：7259804
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種致使施主層的面內(nèi)晶格常數(shù)改變的方法。背景技術(shù)包含發(fā)光二極管(LED)、諧振腔發(fā)光二極管(RCLED)、垂直腔激光二極管(VCSEL)及邊緣發(fā)射激光器的半導(dǎo)體發(fā)光裝置是當(dāng)前可用的最有效率的光源之一。在制造能跨越可見光譜操作的高亮度發(fā)光裝置中，當(dāng)前受關(guān)注的材料系統(tǒng)包含III-V族半導(dǎo)體，尤其是也被稱為III族氮化物材料的鎵、鋁、銦以及氮的二元、三元及四元合金。典型地，III族氮化物發(fā)光裝置通過利用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)、分子束外延(M...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。