技術(shù)編號：7260190
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明公開了一種制作半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的方法，包括步驟a根據(jù)工藝需要在所述半導(dǎo)體器件的布局圖中增加標(biāo)記層，以覆蓋彼此互連的多晶硅部分；步驟b采用布爾運算來形成具有所需的離子注入圖案的掩膜版；步驟c使用上述掩膜版進行離子注入。根據(jù)本發(fā)明的制備半導(dǎo)體器件的方法，解決在多晶硅離子注入時產(chǎn)生的交叉擴散問題，避免了相鄰的半導(dǎo)體器件的有源區(qū)接收相反類型的離子注入和避免對隔離側(cè)墻的影響，進而提高了制備的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的性能。專利說明 [0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造工...
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