技術(shù)編號：7261973
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及干式蝕刻裝置、CVD裝置等等離子處理裝置。背景技術(shù)在等離子處理裝置中，使設(shè)置于室內(nèi)的被稱作基座的支承臺支承作為處理對象物的晶片。接著，向處于封閉狀態(tài)的腔室內(nèi)外加高頻電壓并供給等離子產(chǎn)生用的氣體，從而在腔室內(nèi)產(chǎn)生等離子。通過將晶片暴露在等離子中而對晶片實施干式蝕刻等等離子處理。此類等離子處理裝置為了將多個晶片一并支承于支承臺而使用能夠收容多個晶片的托盤(例如專利文獻I)。托盤具備多個收容孔，所述多個收容孔具有比晶片略大的直徑。在各收容孔的內(nèi)部收容晶...
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