技術(shù)編號：7263372
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。。在堿性浴中織構(gòu)單晶半導(dǎo)體襯底，在其表面形成錐形結(jié)構(gòu)以降低入射光反射，提高晶片的光吸收。堿性浴包括化合物，其阻止錐形結(jié)構(gòu)間平面區(qū)域的形成以提高光吸收。提供一種方法，所述方法包括a)提供單晶半導(dǎo)體襯底；b)提供一種溶液，所述溶液包括一種或多種分子量不小于170g／mol并且閃燃點(diǎn)不低于75℃的烷氧基二醇，一種或多種堿性化合物和一種或多種除氧劑，所述除氧劑的量足以降低溶液中氧濃度到1000ppb或更低；和c)將單晶半導(dǎo)體襯底接觸所述溶液，各向異性地織構(gòu)單晶半導(dǎo)...
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