技術(shù)編號：7264335
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。一種，包括提供基底；在所述基底上形成導電層；在所述導電層上形成含Ta擴散阻擋層；在所述含Ta擴散阻擋層上形成圖形化的光刻膠；以所述圖形化的光刻膠為掩膜，使用Cl2和He等離子體刻蝕所述含Ta擴散阻擋層，刻蝕至含Ta擴散阻擋層下表面，形成圖形化的含Ta擴散阻擋層；以所述圖形化的光刻膠和圖形化的含Ta擴散阻擋層為掩膜，刻蝕所述導電層，形成互連線。由本發(fā)明提供的方法制備得到的互連線可靠性高。專利說明 [0001]本發(fā)明涉及半導體領(lǐng)域，特別涉及到一種。 背...
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