技術編號：7265585
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。根據(jù)本發(fā)明構思的示例實施例，一種半導體器件包括第一和第二溝槽柵極，在基板中沿著一個方向伸長；在基板中的第三和第四溝槽柵極，該第三和第四溝槽柵極使第一和第二溝槽柵極彼此連接；由第一至第四溝槽柵極限定在基板中并由第一至第四溝槽柵極圍繞的第一區(qū)；以及限定在基板中的第二區(qū)和第三區(qū)。第二區(qū)與第一區(qū)面接觸。第三區(qū)與第一區(qū)點接觸。第一區(qū)包括第一高壓半導體器件，該第一高壓半導體器件包括第一導電類型的本體和在本體中的第二導電類型的發(fā)射極。第一導電類型的浮阱在第二區(qū)和第三區(qū)中...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。