技術(shù)編號(hào)：7281929
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及通過電磁場(chǎng)感應(yīng)加熱，尤其涉及電磁爐IGBT的硬件保護(hù)電路。背景技術(shù)IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,在大功率的逆變電路有廣泛的應(yīng)用，如電磁爐，大功率開關(guān)電源等。IGBT作為此類電路的關(guān)鍵器件，經(jīng)常會(huì)因?yàn)橐恍┊惓Ｇ闆r導(dǎo)致流過的電流太大，造成IGBT損壞甚至炸毀，嚴(yán)重是還會(huì)引起火災(zāi)。所以對(duì)IGBT的保護(hù)，是關(guān)系電磁爐的安全性、穩(wěn)定性和使用壽命的重大問題。目前，大多數(shù)IGBT過流保...
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