技術(shù)編號(hào)：7292475
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請(qǐng)涉及開關(guān)，特別涉及級(jí)聯(lián)開關(guān)。背景技術(shù)級(jí)聯(lián)開關(guān)通常設(shè)計(jì)有兩個(gè)或更多串聯(lián)連接的M0SFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)或者IGBT (絕緣柵雙極晶體管)。例如，在兩個(gè)晶體管級(jí)聯(lián)開關(guān)中，一個(gè)晶體管耦接到負(fù)載，并且第二個(gè)晶體管被串聯(lián)耦接在第一晶體管和地面之間。該晶體管被接通和關(guān)斷，以便按照要求或需要切換負(fù)載電流?？缂?jí)聯(lián)開關(guān)中包括的全部串聯(lián)的功率晶體管分配負(fù)載電壓。例如，兩個(gè)800V額定MOSFET可以被串聯(lián)連接，用于開關(guān)1000V或者更大的負(fù)載。級(jí)聯(lián)開關(guān)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
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