技術編號：7303232
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體器件及其制造方法，尤其涉及非易失性存儲器件及其制造方法。背景技術 非易失性存儲器件，例如閃速存儲器件，能夠在半導體器件斷電的時候存儲數據。閃速存儲器件的存儲單元可以包括電隔離的浮置柵極、襯底上分別在浮置柵極的第一和第二側的源極和漏極區(qū)域、以及被配置為控制該浮置柵極的控制柵極。典型地，閃速存儲器存儲單元的閾值電壓取決于存儲在該浮置柵極中的電荷量。通過感測因閾值電壓差值引起的閃速存儲器存儲單元的單元電流的變化量可以檢測出閃速存儲器存儲單元中存儲...
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