技術(shù)編號：7334905
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。這里描述的實(shí)施例涉及功率變換裝置。 背景技術(shù)近年來，完成了對使用SiC的功率半導(dǎo)體元件的研究和開發(fā)。SiC在半導(dǎo)體特性上優(yōu)于傳統(tǒng)的Si。具體而言，Sic有高的電介質(zhì)擊穿強(qiáng)度，并且SiC的使用可以實(shí)現(xiàn)與Si相比更高耐電壓性的元件。雖然利用使用Si的SBD(肖特基二極管)或JBS (結(jié)勢壘受控肖特基)二極管可以實(shí)現(xiàn)數(shù)百伏的低耐電壓性，但是通過使用SiC可以實(shí)現(xiàn)1700伏或更高的高耐電壓性。在SBD或JBS 二極管用作功率變換電路的續(xù)流二極管的情況下，由于不同于...
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