技術(shù)編號(hào)：7459621
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。這里所述的實(shí)施方式涉及半導(dǎo)體裝置。背景技術(shù)以往，作為浪涌(surge，電涌)用保護(hù)電路，已知有在電源端子和接地端子間等使用MOS晶體管作為半導(dǎo)體裝置的電路。該種半導(dǎo)體裝置不同于輸入保護(hù)電路，期望在浪涌電壓未施加的通常狀態(tài)下，通過設(shè)為電流不流向保護(hù)元件的狀態(tài)，實(shí)現(xiàn)低消耗功率化。另夕卜，期望在不增大電路面積的情況下提高浪涌的承受能力。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明解決的課題是提供可實(shí)現(xiàn)低消耗功率化及電路面積的削減的半導(dǎo)體裝置。實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備在電源端子和...
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