技術(shù)編號(hào)：7505512
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種具有感測(cè)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件，特別地涉及具有感測(cè)端子的功率半導(dǎo)體器件，本發(fā)明還涉及包括該功率半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)。現(xiàn)有技術(shù)的功率半導(dǎo)體器件的一個(gè)已知實(shí)例為感測(cè)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)結(jié)構(gòu)，傳統(tǒng)上將其簡(jiǎn)稱為SenseMOS。SenseMOS具有傳統(tǒng)MOS的源極、柵極、與漏極以及另外的感測(cè)端子，該感測(cè)端子提供的感測(cè)電流應(yīng)與負(fù)載電流成比例。在理想的SenseMOS結(jié)構(gòu)中，感測(cè)電流應(yīng)在所有工作條件下都與負(fù)載電流成比例。例如，可以使用感測(cè)端...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。