技術(shù)編號(hào)：7508170
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種電子電路和一種操作第一MOSFET和第二MOSFET的方法。制作了由若干并聯(lián)的MOSFET組成的功率轉(zhuǎn)換電路，以便和單封裝器件相比，擴(kuò)大這種電路的功率范圍。這種電路在汽車(chē)和工業(yè)領(lǐng)域得到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。因?yàn)镸OSFET的并聯(lián)，這種功率電路獲得了高的額定電流。為了避免在一個(gè)或多個(gè)并聯(lián)的MOSFET失效或一個(gè)或多個(gè)電學(xué)連接(例如焊料連接)斷裂情況下這種功率電路完全失效，已知提供冗余MOSFET來(lái)替換失效的MOSFET的方法。本發(fā)明的一個(gè)目標(biāo)是預(yù)測(cè)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
該類(lèi)技術(shù)注重原理思路，無(wú)完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。