存儲(chǔ)系統(tǒng)及其操作方法【專利摘要】一種存儲(chǔ)系統(tǒng)，包括：存儲(chǔ)器件，包括多個(gè)存儲(chǔ)芯片，每個(gè)存儲(chǔ)芯片包括被分組為一個(gè)或更多個(gè)超級(jí)塊的多個(gè)存儲(chǔ)塊，其中，每個(gè)存儲(chǔ)塊包括適用于儲(chǔ)存從主機(jī)請(qǐng)求的寫入數(shù)據(jù)的多個(gè)頁(yè)；以及控制器，適用于檢查寫入數(shù)據(jù)的大小和超級(jí)塊的空閑頁(yè)，確定超級(jí)塊之中的基于被查空閑頁(yè)而與寫入數(shù)據(jù)的被查大小對(duì)應(yīng)的第一超級(jí)塊，以及將寫入數(shù)據(jù)編程在第一超級(jí)塊的存儲(chǔ)塊中?！緦＠f(shuō)明】存儲(chǔ)系統(tǒng)及其操作方法[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用[0002]本申請(qǐng)要求于2015年3月18日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2015-0037268號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，該韓國(guó)專利申請(qǐng)的公開(kāi)內(nèi)容通過(guò)引用全部合并于此。
技術(shù)領(lǐng)域：
[0003]本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及一種存儲(chǔ)系統(tǒng)，更具體地講，涉及一種處理來(lái)自存儲(chǔ)器件的數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)系統(tǒng)及其操作方法?！?br>背景技術(shù)：
】[0004]計(jì)算環(huán)境范例已經(jīng)轉(zhuǎn)變?yōu)榭梢噪S時(shí)隨地使用的普適計(jì)算系統(tǒng)。正因如此，諸如移動(dòng)電話、數(shù)字照相機(jī)和筆記本電腦等便攜式電子裝置的使用已迅速增加。這樣的便攜式電子裝置通常使用具有存儲(chǔ)器件(即，數(shù)據(jù)儲(chǔ)存設(shè)備)的存儲(chǔ)系統(tǒng)。數(shù)據(jù)儲(chǔ)存設(shè)備在便攜式電子裝置內(nèi)用作主存儲(chǔ)器件或輔助存儲(chǔ)器件。由于數(shù)據(jù)儲(chǔ)存設(shè)備不具有移動(dòng)部件，因此數(shù)據(jù)儲(chǔ)存設(shè)備提供優(yōu)異的穩(wěn)定性和耐久性，并且以高信息訪問(wèn)速度和低功耗操作。具有這些優(yōu)點(diǎn)的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存設(shè)備的示例包括通用串行總線(USB)存儲(chǔ)器件、具有各種接口的存儲(chǔ)卡和固態(tài)驅(qū)動(dòng)器(SSD)?！?br/>發(fā)明內(nèi)容】[0005]各種實(shí)施例針對(duì)一種存儲(chǔ)系統(tǒng)及其操作方法，其能夠使存儲(chǔ)器件的效率最大化并且快速和穩(wěn)定地處理來(lái)自存儲(chǔ)器件的數(shù)據(jù)。[0006]在實(shí)施例中，一種存儲(chǔ)系統(tǒng)可以包括:存儲(chǔ)器件，包括多個(gè)存儲(chǔ)芯片，每個(gè)存儲(chǔ)芯片包括被分組為一個(gè)或更多個(gè)超級(jí)塊的多個(gè)存儲(chǔ)塊，其中，每個(gè)存儲(chǔ)塊包括適用于儲(chǔ)存從主機(jī)請(qǐng)求的寫入數(shù)據(jù)的多個(gè)頁(yè)；以及控制器，適用于檢查寫入數(shù)據(jù)的大小和超級(jí)塊的空閑頁(yè)，確定超級(jí)塊之中的基于被查空閑頁(yè)而與寫入數(shù)據(jù)的被查大小對(duì)應(yīng)的第一超級(jí)塊，以及將寫入數(shù)據(jù)編程在第一超級(jí)塊的存儲(chǔ)塊中。[0007]控制器可以檢查包括在存儲(chǔ)芯片中的相應(yīng)超級(jí)塊中的編程起始頁(yè)和可編程頁(yè)來(lái)作為空閑頁(yè)。[0008]當(dāng)寫入數(shù)據(jù)的大小是第一大小時(shí)，控制器可以通過(guò)一次編程將寫入數(shù)據(jù)編程在第一超級(jí)塊的存儲(chǔ)塊中的從編程起始頁(yè)開(kāi)始的可編程頁(yè)中。[0009]第一大小可以大于第一超級(jí)塊的存儲(chǔ)塊的相應(yīng)頁(yè)的總大小，以及可編程頁(yè)可以包括第一超級(jí)塊的每個(gè)存儲(chǔ)塊的一個(gè)或更多個(gè)頁(yè)。[0010]當(dāng)寫入數(shù)據(jù)的大小是第二大小時(shí)，控制器可以通過(guò)多平面編程將寫入數(shù)據(jù)編程在第一超級(jí)塊的存儲(chǔ)塊中的從編程起始頁(yè)開(kāi)始的可編程頁(yè)中。[0011]第二大小可以大于第一超級(jí)塊的存儲(chǔ)塊的一個(gè)頁(yè)的大小，以及可編程頁(yè)可以包括第一超級(jí)塊的兩個(gè)或更多個(gè)存儲(chǔ)塊的相應(yīng)頁(yè)。[0012]當(dāng)寫入數(shù)據(jù)的大小是第三大小時(shí)，控制器可以通過(guò)單平面編程將寫入數(shù)據(jù)編程在第一超級(jí)塊的存儲(chǔ)塊中的從編程起始頁(yè)開(kāi)始的可編程頁(yè)中。[0013]第三大小可以等于第一超級(jí)塊的存儲(chǔ)塊的一個(gè)頁(yè)的大小，以及可編程頁(yè)可以包括第一超級(jí)塊的一個(gè)存儲(chǔ)塊的頁(yè)。[0014]第三大小可以小于第一超級(jí)塊的存儲(chǔ)塊的一個(gè)頁(yè)的大小，以及控制器可以在編程寫入數(shù)據(jù)之后，將虛設(shè)數(shù)據(jù)或空數(shù)據(jù)編程在可編程頁(yè)的其余頁(yè)區(qū)中。[0015]當(dāng)兩個(gè)或更多個(gè)超級(jí)塊被檢查為超級(jí)塊之中的第一超級(jí)塊時(shí)，控制器可以基于頁(yè)地址的優(yōu)先級(jí)來(lái)將兩個(gè)或更多個(gè)超級(jí)塊中的一個(gè)超級(jí)塊確定為第一超級(jí)塊。[0016]當(dāng)兩個(gè)或更多個(gè)超級(jí)塊被檢查為超級(jí)塊之中的第一超級(jí)塊時(shí)，控制器可以基于編程性能來(lái)將兩個(gè)或更多個(gè)超級(jí)塊中的一個(gè)確定為第一超級(jí)塊。[0017]在實(shí)施例中，一種操作存儲(chǔ)系統(tǒng)的方法可以包括:檢查與從主機(jī)接收的寫入命令對(duì)應(yīng)的寫入數(shù)據(jù)的大小，以及檢查多個(gè)超級(jí)塊的空閑頁(yè)，其中，存儲(chǔ)器件的多個(gè)存儲(chǔ)塊被分組為超級(jí)塊并且每個(gè)存儲(chǔ)塊包括多個(gè)頁(yè)；確定超級(jí)塊之中的基于被查空閑頁(yè)而與寫入數(shù)據(jù)的被查大小對(duì)應(yīng)的第一超級(jí)塊；以及將寫入數(shù)據(jù)編程在第一超級(jí)塊的存儲(chǔ)塊中。[0018]檢查空閑頁(yè)的步驟可以包括:檢查相應(yīng)超級(jí)塊中的編程起始頁(yè)和可編程頁(yè)。[0019]當(dāng)寫入數(shù)據(jù)的大小是第一大小時(shí)，編程寫入數(shù)據(jù)的步驟可以包括:通過(guò)一次編程將寫入數(shù)據(jù)編程在第一超級(jí)塊的存儲(chǔ)塊中的可編程頁(yè)中，其中，編程寫入數(shù)據(jù)的步驟從第一超級(jí)塊的存儲(chǔ)塊中的編程起始頁(yè)開(kāi)始。[0020]第一大小可以大于第一超級(jí)塊的存儲(chǔ)塊的相應(yīng)頁(yè)的總大小，以及可編程頁(yè)包括第一超級(jí)塊的每個(gè)存儲(chǔ)塊的一個(gè)或更多個(gè)頁(yè)。[0021]當(dāng)寫入數(shù)據(jù)的大小是第二大小時(shí)，編程寫入數(shù)據(jù)的步驟可以包括:通過(guò)多平面編程將寫入數(shù)據(jù)編程在第一超級(jí)塊的存儲(chǔ)塊中的可編程頁(yè)中，其中，編程寫入數(shù)據(jù)的步驟從第一超級(jí)塊的存儲(chǔ)塊中的編程起始頁(yè)開(kāi)始。[0022]第二大小可以大于第一超級(jí)塊的存儲(chǔ)塊的一個(gè)頁(yè)的大小，以及可編程頁(yè)包括第一超級(jí)塊的兩個(gè)或更多個(gè)存儲(chǔ)塊的相應(yīng)頁(yè)。[0023]當(dāng)寫入數(shù)據(jù)的大小是第三大小時(shí)，編程寫入數(shù)據(jù)的步驟可以包括:通過(guò)單平面編程將寫入數(shù)據(jù)編程在第一超級(jí)塊的存儲(chǔ)塊中的可編程頁(yè)中，其中，編程寫入數(shù)據(jù)的步驟從第一超級(jí)塊的存儲(chǔ)塊中的編程起始頁(yè)開(kāi)始。[0024]第三大小可以等于第一超級(jí)塊的存儲(chǔ)塊的一個(gè)頁(yè)的大小，以及可編程頁(yè)包括第一超級(jí)塊的一個(gè)存儲(chǔ)塊的頁(yè)。[0025]第三大小可以小于第一超級(jí)塊的存儲(chǔ)塊的一個(gè)頁(yè)的大小，以及編程寫入數(shù)據(jù)的步驟還可以包括:將虛設(shè)數(shù)據(jù)或空數(shù)據(jù)編程在可編程頁(yè)的其余頁(yè)區(qū)中。【附圖說(shuō)明】[0026]圖1是示出根據(jù)實(shí)施例的包括存儲(chǔ)系統(tǒng)的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的示圖。[0027]圖2是示出圖1中所示的存儲(chǔ)系統(tǒng)中的存儲(chǔ)器件的示圖。[0028]圖3是示出根據(jù)實(shí)施例的存儲(chǔ)器件中的存儲(chǔ)塊的電路圖。[0029]圖4至圖11是示意性示出圖2中所示的存儲(chǔ)器件的示圖。[0030]圖12是示出根據(jù)實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)中的存儲(chǔ)器件的數(shù)據(jù)處理操作的示意圖。[0031]圖13是示出在根據(jù)實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)中處理數(shù)據(jù)的操作過(guò)程的示意性流程圖?！揪唧w實(shí)施方式】[0032]以下將參照附圖來(lái)更詳細(xì)地描述各種實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以以不同形式來(lái)實(shí)施，且不應(yīng)當(dāng)解釋為局限于本文所闡述的實(shí)施例。更確切地說(shuō)，這些實(shí)施例被提供使得本公開(kāi)將是徹底和完整的，并且將把本發(fā)明的范圍充分傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。貫穿本公開(kāi)，相同的附圖標(biāo)記在本發(fā)明的各種附圖和實(shí)施例中指代相同的部分。[0033]附圖不一定成比例，在某些情況下，可以夸大比例以清楚地說(shuō)明實(shí)施例的特征。當(dāng)元件被稱為連接或耦接至另一元件時(shí)，應(yīng)當(dāng)理解的是，前者可以直接連接或耦接至后者，或者經(jīng)由其間的中間元件電連接或耦接至后者。此外，當(dāng)描述一個(gè)“包含”(或“包括”)或“具有”一些元件時(shí)，應(yīng)當(dāng)理解為其可以僅包含(或包括)或具有那些元件，或者如果沒(méi)有特定限制，則其可以包含(或包括)或具有其他元件以及那些元件。只要沒(méi)有另外陳述，那么單數(shù)形式的術(shù)語(yǔ)也可以包括復(fù)數(shù)形式。[0034]圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的包括存儲(chǔ)系統(tǒng)的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的示圖。[0035]參照?qǐng)D1，數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)100可以包括主機(jī)102和存儲(chǔ)系統(tǒng)110。[0036]例如，主機(jī)102包括諸如移動(dòng)電話、MP3播放器和膝上計(jì)算機(jī)的便攜式電子裝置或諸如臺(tái)式計(jì)算機(jī)、游戲機(jī)、TV和投影儀的電子裝置。[0037]存儲(chǔ)系統(tǒng)110響應(yīng)于來(lái)自主機(jī)102的請(qǐng)求而操作，具體地，儲(chǔ)存要被主機(jī)102訪問(wèn)的數(shù)據(jù)。換句話說(shuō)，存儲(chǔ)系統(tǒng)110可以用作主機(jī)102的主存儲(chǔ)器件或輔助存儲(chǔ)器件。存儲(chǔ)系統(tǒng)110可以根據(jù)與主機(jī)102電耦接的其主機(jī)接口的協(xié)議而用各種類型的儲(chǔ)存設(shè)備中的任意一種來(lái)實(shí)施。例如，存儲(chǔ)系統(tǒng)110可以用諸如固態(tài)驅(qū)動(dòng)器(SSD)、多媒體卡(MMC)、嵌入式MMC(eMMC)、縮小尺寸MMC(RS-MMC)、微型MMC、安全數(shù)字(SD)、迷你SD、微型SD、通用串行總線(USB)儲(chǔ)存設(shè)備、通用閃速儲(chǔ)存(UFS)設(shè)備、緊湊型閃存(CF)卡、智能媒體(SM)卡、記憶棒等的各種類型的儲(chǔ)存設(shè)備中的任意一種來(lái)實(shí)施。[0038]存儲(chǔ)系統(tǒng)110可以用諸如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)和靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)的易失性存儲(chǔ)器件或諸如只讀存儲(chǔ)器(ROM)、掩模ROM(MROM)、可編程ROM(PROM)、可擦除可編程ROM(EPROM)、電可擦除可編程ROM(EEPROM)、鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FRAM)、相變RAM(PRAM)、磁阻RAM(MRAM)和電阻式RAM(RRAM)的非易失性存儲(chǔ)器件來(lái)實(shí)施。[0039]存儲(chǔ)系統(tǒng)110包括儲(chǔ)存要被主機(jī)102訪問(wèn)的數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器件150以及控制存儲(chǔ)器件150中的數(shù)據(jù)的儲(chǔ)存的控制器130。[0040]控制器130和存儲(chǔ)器件150可以集成至一個(gè)半導(dǎo)體器件中。例如，控制器130和存儲(chǔ)器件150可以被集成至一個(gè)半導(dǎo)體器件中并且配置固態(tài)驅(qū)動(dòng)器(SSD)。當(dāng)存儲(chǔ)系統(tǒng)110用作SSD時(shí)，可以顯著地提高與存儲(chǔ)系統(tǒng)110電耦接的主機(jī)102的操作速度。[0041]控制器130和存儲(chǔ)器件150可以被集成至一個(gè)半導(dǎo)體器件中并且配置存儲(chǔ)卡。例如，控制器130和存儲(chǔ)卡150可以被集成至一個(gè)半導(dǎo)體器件中，并且配置諸如個(gè)人計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)卡國(guó)際協(xié)會(huì)(PCMCIA)卡、緊湊型閃存(CF)卡、智能媒體(SM)卡、記憶棒、多媒體卡(麗3)、1?-11(:、微型11(:、安全數(shù)字(SD)卡、迷你SD、微型SD、SDHC、通用閃速儲(chǔ)存(UFS)設(shè)備的存儲(chǔ)卡。[0042]再例如，存儲(chǔ)系統(tǒng)110可以配置計(jì)算機(jī)、超移動(dòng)PC(UMPC)、工作站、上網(wǎng)本、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、便攜式計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)板(webtablet)、平板電腦、無(wú)線電話、移動(dòng)電話、智能電話、電子書(shū)、便攜式多媒體播放器(PMP)、便攜式游戲機(jī)、導(dǎo)航儀、黑匣子、數(shù)字照相機(jī)、數(shù)字多媒體廣播(DMB)播放器、三維(3D)電視、智能電視、數(shù)字錄音機(jī)、數(shù)字音頻播放器、數(shù)字圖像記錄器、數(shù)字圖像播放器、數(shù)字視頻錄像機(jī)、數(shù)字視頻播放器、配置數(shù)據(jù)中心的儲(chǔ)存器、無(wú)線環(huán)境下收發(fā)信息的設(shè)備、配置家庭網(wǎng)絡(luò)的各種電子設(shè)備中的一種、配置計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)的各種電子設(shè)備中的一種、配置遠(yuǎn)程信息處理網(wǎng)絡(luò)的各種電子設(shè)備中的一種、RFID設(shè)備或者配置計(jì)算系統(tǒng)的各種組成元件中的一種。[0043]存儲(chǔ)系統(tǒng)110的存儲(chǔ)器件150在電源被中斷時(shí)可以保持儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)，具體地，在寫入操作期間儲(chǔ)存從主機(jī)102提供的數(shù)據(jù)，以及在讀取操作期間將儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)提供給主機(jī)102。存儲(chǔ)器件150包括多個(gè)存儲(chǔ)塊152、154和156。存儲(chǔ)塊152、154和156中的每個(gè)存儲(chǔ)塊包括多個(gè)頁(yè)。每個(gè)頁(yè)包括多個(gè)存儲(chǔ)單元，多個(gè)字線(WL)電耦接至多個(gè)存儲(chǔ)單元。存儲(chǔ)器件150可以是非易失性存儲(chǔ)器件，例如，閃速存儲(chǔ)器。閃速存儲(chǔ)器可以具有三維(3D)層疊結(jié)構(gòu)。稍后將參照?qǐng)D2至圖11來(lái)描述存儲(chǔ)器件150的結(jié)構(gòu)，即，存儲(chǔ)器件150的三維(3D)層疊結(jié)構(gòu)。[0044]存儲(chǔ)系統(tǒng)110的控制器130響應(yīng)于來(lái)自主機(jī)102的請(qǐng)求來(lái)控制存儲(chǔ)器件150。例如，控制器130將從存儲(chǔ)器件150讀取的數(shù)據(jù)提供給主機(jī)102，以及將從主機(jī)102提供的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器件150中。為此，控制器130控制存儲(chǔ)器件150的整體操作(諸如讀取操作、寫入操作、編程操作和擦除操作)。[0045]詳細(xì)地，控制器130包括主機(jī)接口單元132、處理器134、錯(cuò)誤校正碼(ECC)單元138、電源管理單元140、NAND閃存控制器142和存儲(chǔ)器144。[0046]主機(jī)接口單元132處理從主機(jī)102提供的命令和數(shù)據(jù)，以及可以被配置為通過(guò)諸如通用串行總線(USB)、多媒體卡(MMC)、快速外圍組件互連(PC1-E)、串行高級(jí)技術(shù)附件(SATA)、并行高級(jí)技術(shù)附件(PATA)、小型計(jì)算機(jī)系統(tǒng)接口(SCSI)、串行附件SCSI(SAS)、增強(qiáng)小型磁盤接口(ESDI)和集成驅(qū)動(dòng)電路(IDE)的各種接口協(xié)議中的一種或更多種來(lái)與主機(jī)102通信。[0047]ECC單元138在讀取操作期間檢測(cè)和校正包括在從存儲(chǔ)器件150讀取的數(shù)據(jù)中的錯(cuò)誤。即，在對(duì)從存儲(chǔ)器件150讀取的數(shù)據(jù)執(zhí)行錯(cuò)誤校正解碼操作之后，ECC單元138可以確定錯(cuò)誤校正解碼操作是否成功，響應(yīng)于確定結(jié)果來(lái)輸出指示信號(hào)，以及基于由ECC解碼處理產(chǎn)生的奇偶位來(lái)校正讀取數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤位。當(dāng)錯(cuò)誤位的數(shù)量大于或等于可校正錯(cuò)誤位的閾值數(shù)量時(shí)，ECC單元138可以不校正錯(cuò)誤位并且可以輸出錯(cuò)誤校正失敗信號(hào)。[0048]ECC單元138可以基于諸如低密度奇偶校驗(yàn)(LDPC)碼、博斯-喬赫里-霍克文黑姆(BCH,Bose-Chaudhur1-Hocquenghem)碼、禍輪碼(tuborcode)、里德-所羅門(RS,Reed-Solomon)碼、卷積碼、遞歸系統(tǒng)碼(RSC)、格形編碼調(diào)制(TCM)、塊編碼調(diào)制(BCM)等的編碼調(diào)制來(lái)執(zhí)行錯(cuò)誤校正操作。ECC單元138可以包括用于糾錯(cuò)操作的所有電路、系統(tǒng)或設(shè)備。[0049]NFC142用作控制器130與存儲(chǔ)器件150之間的存儲(chǔ)器接口，從而允許控制器130響應(yīng)于來(lái)自主機(jī)102的請(qǐng)求來(lái)控制存儲(chǔ)器件150。當(dāng)存儲(chǔ)器件150是閃速存儲(chǔ)器(具體地，NAND閃速存儲(chǔ)器)時(shí)，NFC142在處理器134的控制下為存儲(chǔ)器件150產(chǎn)生控制信號(hào)并且處理數(shù)據(jù)。[0050]存儲(chǔ)器144用作存儲(chǔ)系統(tǒng)110和控制器130的工作存儲(chǔ)器，以及儲(chǔ)存用于驅(qū)動(dòng)存儲(chǔ)系統(tǒng)I1和控制器130的數(shù)據(jù)。控制器130響應(yīng)于來(lái)自主機(jī)102的請(qǐng)求來(lái)控制存儲(chǔ)器件150。例如，控制器130將從存儲(chǔ)器件150讀取的數(shù)據(jù)提供給主機(jī)102，以及將從主機(jī)102提供的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器件150中。為此，控制器130控制存儲(chǔ)器件150的操作(諸如讀取操作、寫入操作、編程操作和擦除操作)，存儲(chǔ)器144儲(chǔ)存允許這樣的操作所需的數(shù)據(jù)。[0051]存儲(chǔ)器144可以用易失性存儲(chǔ)器來(lái)實(shí)現(xiàn)。例如，存儲(chǔ)器144可以用靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)或動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)來(lái)實(shí)現(xiàn)。如上所述，存儲(chǔ)器144儲(chǔ)存在主機(jī)102與存儲(chǔ)器件150之間執(zhí)行讀取操作和寫入操作所需的數(shù)據(jù)。為了儲(chǔ)存數(shù)據(jù)，存儲(chǔ)器144包括程序存儲(chǔ)器、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、寫入緩沖器、讀取緩沖器、映射緩沖器等。[0052]處理器134控制存儲(chǔ)系統(tǒng)110的一般操作，以及響應(yīng)于來(lái)自主機(jī)102的寫入請(qǐng)求或讀取請(qǐng)求來(lái)控制存儲(chǔ)器件150的寫入操作或讀取操作。處理器134驅(qū)動(dòng)被稱為閃存轉(zhuǎn)換層(FTL)的固件來(lái)控制存儲(chǔ)系統(tǒng)110的一般操作。處理器134可以用微處理器或中央處理單元(CPU)來(lái)實(shí)現(xiàn)。[0053]用于執(zhí)行存儲(chǔ)器件150的“壞管理”(例如，壞塊管理)的管理單元(未顯示)包括在處理器134中。管理單元檢測(cè)包括在存儲(chǔ)器件150中的多個(gè)存儲(chǔ)塊，找出壞塊(不滿足進(jìn)一步使用的條件)以及執(zhí)行壞塊管理。當(dāng)存儲(chǔ)器件150是閃速存儲(chǔ)器(例如，NAND閃速存儲(chǔ)器)時(shí)，由于NAND邏輯函數(shù)的特性，因此在寫入操作期間(例如，在編程操作期間)可能發(fā)生編程失敗?！皦膲K管理”是將其中發(fā)生編程失敗的存儲(chǔ)塊處理為壞，以及將編程失敗的數(shù)據(jù)編程在新存儲(chǔ)塊中的操作。在下文中，將參照?qǐng)D2至圖11來(lái)詳細(xì)描述根據(jù)實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)中的存儲(chǔ)器件。[0054]圖2是示出圖1中所示的存儲(chǔ)系統(tǒng)110中的存儲(chǔ)器件150的示圖。[0055]參照?qǐng)D2，存儲(chǔ)器件150包括多個(gè)存儲(chǔ)塊，例如，第零存儲(chǔ)塊(BLKO)210、第一存儲(chǔ)塊(BLKl)220、第二存儲(chǔ)塊(BLK2)230和第N-1存儲(chǔ)塊(BLKN-1)240。存儲(chǔ)塊210、220、230和240中的每個(gè)存儲(chǔ)塊包括多個(gè)頁(yè)，例如，21女量的頁(yè)(2M個(gè)頁(yè))。雖然描述了多個(gè)存儲(chǔ)塊中的每個(gè)存儲(chǔ)塊包括21女量的頁(yè)，但是注意的是，多個(gè)存儲(chǔ)塊中的每個(gè)存儲(chǔ)塊可以包括M數(shù)量(或任意數(shù)量)的頁(yè)。每個(gè)頁(yè)包括多個(gè)存儲(chǔ)單元，多個(gè)字線(WL)電耦接至多個(gè)存儲(chǔ)單JLο[0056]此外，存儲(chǔ)器件150根據(jù)儲(chǔ)存在每個(gè)存儲(chǔ)單元中的位的數(shù)量可以包括作為單電平單元(SLC，singlelevelcell)存儲(chǔ)塊和多電平單元(MLC，mult1-levelcell)存儲(chǔ)塊的多個(gè)存儲(chǔ)塊。SLC存儲(chǔ)塊包括用每個(gè)存儲(chǔ)單元能夠儲(chǔ)存I位數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)單元來(lái)實(shí)現(xiàn)的多個(gè)頁(yè)，并且可以具有高的數(shù)據(jù)計(jì)算性能和優(yōu)異的耐久性。MLC存儲(chǔ)塊包括用每個(gè)存儲(chǔ)單元能夠儲(chǔ)存多位數(shù)據(jù)(例如，兩位或更多位數(shù)據(jù))的存儲(chǔ)單元來(lái)實(shí)現(xiàn)的多個(gè)頁(yè)，并且可以具有比SLC存儲(chǔ)塊大的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存空間，即，可以被高度集成。包括用每個(gè)存儲(chǔ)單元能夠儲(chǔ)存3位數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)單元來(lái)實(shí)現(xiàn)的多個(gè)頁(yè)的MLC存儲(chǔ)塊可以被定義為三電平單元(TLC)存儲(chǔ)塊。[0057]存儲(chǔ)塊210、220、230和240中的每個(gè)存儲(chǔ)塊在寫入操作期間儲(chǔ)存從圖1的主機(jī)設(shè)備102提供的數(shù)據(jù)，以及在讀取操作期間將儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)提供給主機(jī)102。[0058]圖3是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的存儲(chǔ)器件中的存儲(chǔ)塊的電路圖。[0059]參照?qǐng)D3，存儲(chǔ)器件300的存儲(chǔ)塊330可以包括分別電耦接至位線BLO至BLm-1的多個(gè)單元串340。每列的單元串340可以包括至少一個(gè)漏極選擇晶體管DST和至少一個(gè)源極選擇晶體管SST。多個(gè)存儲(chǔ)單元或多個(gè)存儲(chǔ)單元晶體管MCO至MCn-1可以串聯(lián)地電耦接在選擇晶體管DST和SST之間。各個(gè)存儲(chǔ)單元MCO至MCn-1可以被配置為多電平單元(MLC)，其中，每個(gè)多電平單元(MLC)儲(chǔ)存多位的數(shù)據(jù)信息。串340可以分別電耦接至對(duì)應(yīng)的位線BLO至BLm-1。作為參考，在圖3中，“DSL”表示漏極選擇線，“SSL”表示源極選擇線，“CSL”表示共源極線。[0060]雖然圖3作為示例示出了包括NAND閃速存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)塊330，但是注意的是，根據(jù)實(shí)施例的存儲(chǔ)器件300的存儲(chǔ)塊330不限于NAND閃速存儲(chǔ)器，并且可以實(shí)現(xiàn)為NOR閃速存儲(chǔ)器、其中組合有兩種或更多種存儲(chǔ)單元的混合閃速存儲(chǔ)器、或控制器構(gòu)建在存儲(chǔ)芯片中的一體NAND閃速存儲(chǔ)器(one-NANDflashmemory)0半導(dǎo)體器件的操作特性不僅可以應(yīng)用至電荷儲(chǔ)存層由導(dǎo)電浮柵配置的閃速存儲(chǔ)器件，還可以應(yīng)用至電荷儲(chǔ)存層由電介質(zhì)層配置的電荷捕獲閃存(CTE)。[0061]存儲(chǔ)器件300的電壓供應(yīng)塊310可以基于操作模式來(lái)將字線電壓(例如，編程電壓、讀取電壓和通過(guò)電壓)提供至相應(yīng)的字線，以及可以將電壓提供給塊體，例如，其中形成有存儲(chǔ)單元的阱區(qū)。電壓供應(yīng)塊310可以在控制電路(未顯示)的控制下執(zhí)行電壓發(fā)生操作。電壓供應(yīng)塊310可以產(chǎn)生多個(gè)可變讀取電壓以產(chǎn)生多個(gè)讀取數(shù)據(jù)，在控制電路的控制下選擇存儲(chǔ)單元陣列的扇區(qū)或存儲(chǔ)塊中的一個(gè)，選擇選中存儲(chǔ)塊的字線中的一個(gè)，以及將字線電壓提供至選中字線和未選字線。[0062]存儲(chǔ)器件300的讀取/寫入電路320通過(guò)控制電路來(lái)控制，以及可以基于操作模式而用作感測(cè)放大器或?qū)懭腧?qū)動(dòng)器。例如，在驗(yàn)證或讀取操作期間，讀取/寫入電路320可以用作用于感測(cè)來(lái)自存儲(chǔ)單元陣列的數(shù)據(jù)的感測(cè)放大器。此外，在編程操作期間，讀取/寫入電路320可以用作寫入驅(qū)動(dòng)器，寫入驅(qū)動(dòng)器基于要被儲(chǔ)存在存儲(chǔ)單元陣列中的數(shù)據(jù)來(lái)驅(qū)動(dòng)位線。讀取/寫入電路320在編程操作期間可以從緩沖器(未顯示)接收要被寫入在存儲(chǔ)單元陣列中的數(shù)據(jù)，以及可以基于接收的數(shù)據(jù)來(lái)驅(qū)動(dòng)位線。為此，讀取/寫入電路320可以包括分別與列(或位線)或列對(duì)(或位線對(duì))對(duì)應(yīng)的多個(gè)頁(yè)緩沖器322、324和326，多個(gè)鎖存器(未顯示)可以包括在頁(yè)緩沖器322、324和326中的每個(gè)頁(yè)緩沖器中。[0063]在下文中，當(dāng)用根據(jù)實(shí)施例的三維(3D)非易失性存儲(chǔ)器件來(lái)實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器件150時(shí)，將參照?qǐng)D4至圖11對(duì)存儲(chǔ)器件150進(jìn)行詳細(xì)描述。[0064]圖4是示出圖2中所示的存儲(chǔ)器件150的存儲(chǔ)塊BLKO至BLKN-1的框圖。[0065]參照?qǐng)D4，存儲(chǔ)器件150可以包括多個(gè)存儲(chǔ)塊BLKO至BLKN-1，存儲(chǔ)塊BLKO至BLKN-1中的每個(gè)存儲(chǔ)塊可以實(shí)現(xiàn)為三維(3D)結(jié)構(gòu)或垂直結(jié)構(gòu)。存儲(chǔ)塊BLKO至BLKN-1中的每個(gè)存儲(chǔ)塊可以包括沿第一方向至第三方向(即，X軸方向，y軸方向和z軸方向)延伸的結(jié)構(gòu)。[0066]存儲(chǔ)塊BLKO至BLKN-1中的每個(gè)存儲(chǔ)塊可以包括沿第二方向延伸的多個(gè)NAND串NS。多個(gè)NAND串NS可以沿第一方向和第三方向布置。每個(gè)NAND串NS可以電耦接至位線BL、一個(gè)或更多個(gè)源極選擇線SSL、一個(gè)或更多個(gè)接地選擇線GSL、多個(gè)字線WL、一個(gè)或更多個(gè)虛設(shè)字線DWL和共源極線CSL。S卩，存儲(chǔ)塊BLKO至BLKN-1中的每個(gè)存儲(chǔ)塊可以電耦接至多個(gè)位線BL、多個(gè)源極選擇線SSL、多個(gè)接地選擇線GSL、多個(gè)字線WL、多個(gè)虛設(shè)字線DWL和多個(gè)共源極線CSL。[0067]圖5是圖4中所示的存儲(chǔ)塊BLKOtoBLKN-1中的一個(gè)存儲(chǔ)塊BLKi的透視圖。圖6是沿圖5中所示的存儲(chǔ)塊BLKi的線1-1'截取的剖視圖。[0068]參照?qǐng)D5和圖6，存儲(chǔ)器件150的存儲(chǔ)塊BLKi可以包括沿第一方向至第三方向延伸的結(jié)構(gòu)。[0069]可以設(shè)置有襯底5111。襯底5111可以包括摻雜有第一類型雜質(zhì)的硅材料。例如，襯底5111可以包括摻雜有P型雜質(zhì)的硅材料，或者可以是P型阱(例如，袋型P阱)，并且包括圍繞P型阱的η型阱。雖然在實(shí)施例中描述了襯底5111是P型硅，但是注意的是，襯底5111不局限于P型娃。[0070]沿第一方向延伸的多個(gè)摻雜區(qū)5311至5314可以設(shè)置在襯底5111之上。多個(gè)摻雜區(qū)5311至5314可以包含不同于襯底5111的第二類型雜質(zhì)。多個(gè)摻雜區(qū)5311至5314可以摻雜有η型雜質(zhì)。雖然在實(shí)施例中描述了第一摻雜區(qū)5311至第四摻雜區(qū)5314是η型，但是注意的是，第一摻雜區(qū)5311至第四摻雜區(qū)5314不局限于η型。[0071]沿第一方向延伸的多個(gè)電介質(zhì)材料5112可以沿第二方向依次設(shè)置在第一摻雜區(qū)5311與第二摻雜區(qū)5312之間的襯底5111的區(qū)域之上。多個(gè)電介質(zhì)材料5112和襯底5111可以沿第二方向彼此分離預(yù)定距離。多個(gè)電介質(zhì)材料5112可以沿第二方向彼此分離預(yù)定距離。電介質(zhì)材料5112可以包括諸如氧化硅的電介質(zhì)材料。[0072]多個(gè)柱體5113可以沿第一方向依次布置在第一摻雜區(qū)5311與第二摻雜區(qū)5312之間的襯底5111的區(qū)域之上，并且可以沿第二方向穿過(guò)電介質(zhì)材料5112。多個(gè)柱體5113可以穿過(guò)電介質(zhì)材料5112并且可以與襯底5111電耦接。每個(gè)柱體5113可以由多種材料配置。每個(gè)柱體5113的表面層5114可以包括摻雜有第一類型雜質(zhì)的硅材料。每個(gè)柱體5113的表面層5114可以包括摻雜有與襯底5111相同類型的雜質(zhì)的硅材料。雖然在實(shí)施例中描述了每個(gè)柱體5113的表面層5114包括P型硅，但是注意的是，每個(gè)柱體5113的表面層5114不局限于P型娃。[0073]每個(gè)柱體5113的內(nèi)層5115可以由電介質(zhì)材料形成。每個(gè)柱體5113的內(nèi)層5115可以由諸如氧化硅的電介質(zhì)材料填充。[0074]在第一摻雜區(qū)5311與第二摻雜區(qū)5312之間的區(qū)域中，電介質(zhì)層5116可以沿電介質(zhì)材料5112、柱體5113和襯底5111的暴露表面設(shè)置。電介質(zhì)層5116的厚度可以小于電介質(zhì)材料5112之間的距離的一半。換句話說(shuō)，要布置除電介質(zhì)材料5112和電介質(zhì)層5116之外的材料的區(qū)域可以設(shè)置在⑴設(shè)置在電介質(zhì)材料5112的第一電介質(zhì)材料的底表面之上的電介質(zhì)層5116與(ii)設(shè)置在電介質(zhì)材料5112的第二電介質(zhì)材料的頂表面之上的電介質(zhì)層5116之間。電介質(zhì)材料5112在第一電介質(zhì)材料之下。[0075]在第一摻雜區(qū)5311與第二摻雜區(qū)5312之間的區(qū)域中，導(dǎo)電材料5211至5291可以設(shè)置在電介質(zhì)層5116的暴露表面之上。例如，沿第一方向延伸的導(dǎo)電材料5211可以設(shè)置在鄰近襯底5111的電介質(zhì)材料5112與襯底5111之間。具體地，導(dǎo)電材料5211可以設(shè)置在(i)布置在襯底5111之上的電介質(zhì)層5116與(ii)布置在鄰近襯底5111的電介質(zhì)材料5112的底表面之上的電介質(zhì)層5116之間。[0076]再例如，沿第一方向延伸的導(dǎo)電材料5221至5281可以設(shè)置在(i)布置在電介質(zhì)材料5112的某個(gè)電介質(zhì)材料的頂表面之上的電介質(zhì)層5116與(ii)布置在電介質(zhì)材料5112的另一電介質(zhì)材料(其布置在所述某個(gè)電介質(zhì)材料5112之上)的底表面之上的電介質(zhì)層5116之間。沿第一方向延伸的導(dǎo)電材料5291可以設(shè)置在最上電介質(zhì)材料5112之上。導(dǎo)電材料5211至5291可以是金屬材料。例如，導(dǎo)電材料5211至5291可以是多晶硅。[0077]與第一摻雜區(qū)5311和第二摻雜區(qū)5312之間的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)可以設(shè)置在第二摻雜區(qū)5312與第三摻雜區(qū)5313之間。例如，沿第一方向延伸的多個(gè)電介質(zhì)材料5112、沿第一方向依次布置且沿第二方向穿過(guò)多個(gè)電介質(zhì)材料5112的多個(gè)柱體5113、設(shè)置在多個(gè)電介質(zhì)材料5112和多個(gè)柱體5113的暴露表面之上的電介質(zhì)層5116、以及沿第一方向延伸的多個(gè)導(dǎo)電材料5212至5292可以設(shè)置在第二摻雜區(qū)5312與第三摻雜區(qū)5313之間。[0078]與第一摻雜區(qū)5311和第二摻雜區(qū)5312之間的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)可以設(shè)置在第三摻雜區(qū)5313與第四摻雜區(qū)5314之間。例如，沿第一方向延伸的多個(gè)電介質(zhì)材料5112、沿第一方向依次布置且沿第二方向穿過(guò)多個(gè)電介質(zhì)材料5112的多個(gè)柱體5113、設(shè)置在多個(gè)電介質(zhì)材料5112和多個(gè)柱體5113的暴露表面之上的電介質(zhì)層5116、以及沿第一方向延伸的多個(gè)導(dǎo)電材料5213至5293可以設(shè)置在第三摻雜區(qū)5313與第四摻雜區(qū)5314之間。[0079]漏極5320可以分別設(shè)置在多個(gè)柱體5113之上。漏極5320可以是摻雜有第二類型雜質(zhì)的硅材料。漏極5320可以是摻雜有η型雜質(zhì)的硅材料。雖然描述了漏極5320包括η型娃，但是注意的是，漏極5320不局限于η型娃。每個(gè)漏極5320的寬度可以大于每個(gè)對(duì)應(yīng)柱體5113的寬度。例如，每個(gè)漏極5320可以在每個(gè)對(duì)應(yīng)柱體5113的頂表面之上以焊盤的形狀設(shè)置。[0080]沿第三方向延伸的導(dǎo)電材料5331至5333可以設(shè)置在漏極5320之上。導(dǎo)電材料5331至5333可以沿第一方向依次布置。導(dǎo)電材料5331至5333可以與對(duì)應(yīng)區(qū)域的漏極5320電耦接。漏極5320和導(dǎo)電材料5331至5333可以通過(guò)接觸插塞彼此電耦接。導(dǎo)電材料5331至5333可以是金屬材料。例如，導(dǎo)電材料5331至5333可以是多晶硅。[0081]在圖5和圖6中，相應(yīng)的柱體5113可以與沿第一方向延伸的電介質(zhì)層5116以及導(dǎo)電材料5211至529U5212至5292和5213至5293一起形成串。例如，相應(yīng)的柱體5113可以與沿第一方向延伸的電介質(zhì)層5116以及導(dǎo)電材料5211至5291、5212至5292和5213至5293—起形成NAND串NS。每個(gè)NAND串NS可以包括多個(gè)晶體管結(jié)構(gòu)TS。[0082]圖7是圖6中所示的晶體管結(jié)構(gòu)TS的剖面圖。[0083]參照?qǐng)D7，在圖6中所不的晶體管結(jié)構(gòu)TS中，電介質(zhì)層5116可以包括第一子電介質(zhì)層5117、第二子電介質(zhì)層5118和第三子電介質(zhì)層5119。[0084]在每個(gè)柱體5113中的P型硅的表面層5114可以用作本體。鄰近柱體5113的第一子電介質(zhì)層5117可以用作隧道電介質(zhì)層，并且可以包括熱氧化層。[0085]第二子電介質(zhì)層5118可以用作電荷儲(chǔ)存層。例如，第二子電介質(zhì)層5118可以用作電荷捕獲/俘獲層，并且可以包括氮化物層或者諸如氧化鋁層、氧化鉿層等的金屬氧化物層。[0086]鄰近導(dǎo)電材料5233的第三子電介質(zhì)層5119可以用作阻擋電介質(zhì)層。例如，鄰近沿第一方向延伸的導(dǎo)電材料5233的第三子電介質(zhì)層5119可以形成為單層或多層。第三子電介質(zhì)層5119可以是諸如氧化鋁層、氧化鉿層等的高-k電介質(zhì)層，其具有比第一子電介質(zhì)層5117和第二子電介質(zhì)層5118大的介電常數(shù)。[0087]導(dǎo)電材料5233可以用作柵極或控制柵極。即，柵極或控制柵極5233、阻擋電介質(zhì)層5119、電荷儲(chǔ)存層5118、隧道電介質(zhì)層5117和本體5114可以形成晶體管或存儲(chǔ)單元晶體管結(jié)構(gòu)。例如，第一子電介質(zhì)層5117至第三子電介質(zhì)層5119可以形成氧化物-氮化物-氧化物(ONO)結(jié)構(gòu)。在實(shí)施例中，為了簡(jiǎn)化說(shuō)明，在每個(gè)柱體5113中的P型硅的表面層5114將被稱為沿第二方向的本體。[0088]存儲(chǔ)塊BLKi可以包括多個(gè)柱體5113。S卩，存儲(chǔ)塊BLKi可以包括多個(gè)NAND串NS。詳細(xì)地，存儲(chǔ)塊BLKi可以包括沿第二方向或垂直于襯底5111的方向延伸的多個(gè)NAND串NS0[0089]每個(gè)NAND串NS可以包括沿第二方向布置的多個(gè)晶體管結(jié)構(gòu)TS。每個(gè)NAND串NS的多個(gè)晶體管結(jié)構(gòu)TS中的一個(gè)或更多個(gè)晶體管結(jié)構(gòu)TS可以用作源極選擇晶體管SST。每個(gè)NAND串NS的多個(gè)晶體管結(jié)構(gòu)TS中的一個(gè)或更多個(gè)晶體管結(jié)構(gòu)TS可以用作接地選擇晶體管GST。[0090]柵極或控制柵極可以對(duì)應(yīng)于沿第一方向延伸的導(dǎo)電材料5211至5291、5212至5292和5213至5293。換句話說(shuō)，柵極或控制柵極可以沿第一方向延伸并且形成字線和兩個(gè)或更多個(gè)選擇線，例如，一個(gè)或更多個(gè)源極選擇線SSL和一個(gè)或更多個(gè)接地選擇線GSL。[0091]沿第三方向延伸的導(dǎo)電材料5331至5333可以電耦接至NAND串NS的一端。例如，導(dǎo)電材料5331至5333可以用作位線BL。S卩，在一個(gè)存儲(chǔ)塊BLKi中，多個(gè)NAND串NS可以電親接至一個(gè)位線BL。[0092]沿第一方向延伸的第二類型摻雜區(qū)5311至5314可以設(shè)置至NAND串NS的另一端。第二類型摻雜區(qū)5311至5314可以用作共源極線CSL。[0093]S卩，存儲(chǔ)塊BLKi包括沿垂直于襯底5111的方向(例如，第二方向)延伸的多個(gè)NAND串NS，并可以用作多個(gè)NAND串NS電耦接至一個(gè)位線BL的NAND閃速存儲(chǔ)塊(例如，電荷捕獲型存儲(chǔ)器的NAND閃速存儲(chǔ)塊)。[0094]雖然在圖5至圖7中示出沿第一方向延伸的導(dǎo)電材料5211至5291、5212至5292和5213至5293設(shè)置為9層，但是注意的是，導(dǎo)電材料5211至5291、5212至5292和5213至5293不局限于9層。例如，沿第一方向延伸的導(dǎo)電材料可以具有8層、16層或任意多的層。換句話說(shuō)，在一個(gè)NAND串NS中，可以存在任意數(shù)量的晶體管。[0095]雖然在圖5至圖7中示出了3個(gè)NAND串NS電耦接至一個(gè)位線BL，但是注意的是，實(shí)施例不局限于3個(gè)NAND串NS。例如，在存儲(chǔ)塊BLKi中，m數(shù)量的NAND串NS可以電耦接至一個(gè)位線，m是正整數(shù)。根據(jù)電耦接至一個(gè)位線BL的NAND串NS的數(shù)量，也可以控制沿第一方向延伸的導(dǎo)電材料5211至5291、5212至5292和5213至5293的數(shù)量以及共源極線5311至5314的數(shù)量。[0096]另外，雖然在圖5至圖7中示出了3個(gè)NAND串NS電耦接至沿第一方向延伸的一個(gè)導(dǎo)電材料，但是注意的是，實(shí)施例不局限于3個(gè)NAND串NS。例如，η數(shù)量的NAND串NS可以電耦接至沿第一方向延伸的一個(gè)導(dǎo)電材料，η是正整數(shù)。根據(jù)電耦接至沿第一方向延伸的一個(gè)導(dǎo)電材料的NAND串NS的數(shù)量，也可以控制位線5331至5333的數(shù)量。[0097]圖8是示出具有參照?qǐng)D5至圖7所描述的第一結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)塊BLKi的等效電路圖。[0098]參照?qǐng)D8，在具有第一結(jié)構(gòu)的某個(gè)塊BLKi中，NAND串NSll至NS31可以設(shè)置在第一位線BLl與共源極線CSL之間。第一位線BLl可以對(duì)應(yīng)于圖5和圖6的沿第三方向延伸的導(dǎo)電材料5331。NAND串NS12至NS32可以設(shè)置在第二位線BL2與共源極線CSL之間。第二位線BL2可以對(duì)應(yīng)于圖5和圖6的沿第三方向延伸的導(dǎo)電材料5332。NAND串NS13至NS33可以設(shè)置在第三位線BL3與共源極線CSL之間。第三位線BL3可以對(duì)應(yīng)于圖5和圖6的沿第三方向延伸的導(dǎo)電材料5333。[0099]每個(gè)NAND串NS的源極選擇晶體管SST可以電耦接至對(duì)應(yīng)的位線BL。每個(gè)NAND串NS的接地選擇晶體管GST可以電耦接至共源極線CSL。存儲(chǔ)單元MC可以設(shè)置在每個(gè)NAND串NS的源極選擇晶體管SST與接地選擇晶體管GST之間。[0100]在實(shí)施例中，為了簡(jiǎn)化說(shuō)明，NAND串NS可以基于行和列來(lái)定義，并且電耦接至一個(gè)位線的NAND串NS可以形成一列。例如，電耦接至第一位線BLl的NAND串NSll至NS31可以對(duì)應(yīng)于第一列，電耦接至第二位線BL2的NAND串NS12至NS32可以對(duì)應(yīng)于第二列，電耦接至第三位線BL3的NAND串NS13至NS33可以對(duì)應(yīng)于第三列。電耦接至一個(gè)源極選擇線SSL的NAND串NS可以形成一行。例如，電耦接至第一源極選擇線SSLl的NAND串NSll至NS13可以形成第一行，電耦接至第二源極選擇線SSL2的NAND串NS21至NS23可以形成第二行，電耦接至第三源極選擇線SSL3的NAND串NS31至NS33可以形成第三行。[0101]在每個(gè)NAND串NS中，可以為晶體管和存儲(chǔ)單元定義高度。在每個(gè)NAND串NS中，當(dāng)從襯底5111測(cè)量時(shí)，存儲(chǔ)單元的高度可以隨存儲(chǔ)單元靠近源極選擇晶體管SST而增大。例如，在每個(gè)NAND串NS中，鄰近源極選擇晶體管SST的存儲(chǔ)單元MC6的高度是7，而鄰近接地選擇晶體管GST的存儲(chǔ)單元MCl的高度是I。[0102]在同一行中的NAND串NS的源極選擇晶體管SST可以共享源極選擇線SSL。在不同行中的NAND串NS的源極選擇晶體管SST可以電耦接至不同源極選擇線SSL1、SSL2和SSL3。[0103]在同一行的NAND串NS中的同一高度處的存儲(chǔ)單元可以共享字線WL。在同一高度處，電耦接至不同行的NAND串NS的存儲(chǔ)單元MC的字線WL可以電耦接。在同一行的NAND串NS中的同一高度處的虛設(shè)存儲(chǔ)單元DMC可以共享虛設(shè)字線DWL。在同一高度處，電耦接至不同行的NAND串NS的虛設(shè)存儲(chǔ)單元DMC的虛設(shè)字線DWL可以電耦接。[0104]例如，位于同一高度的字線WL或虛設(shè)字線DWL可以電耦接在沿第一方向延伸的導(dǎo)電材料5211至5291、5212至5292和5213至5293所設(shè)置的層處。例如，在給定層處沿第一方向延伸的導(dǎo)電材料5211至5291、5212至5292和5213至5293可以通過(guò)接觸電耦接至上層。在上層處，沿第一方向延伸的導(dǎo)電材料5211至5291、5212至5292和5213至5293可以電耦接。換句話說(shuō)，在同一行的NAND串NS的接地選擇晶體管GST可以共享接地選擇線GSL。另外，在不同行的NAND串NS的接地選擇晶體管GST可以共享彼此耦接的接地選擇線GSL。BP,NAND串NSll至NS13、NS21至NS23和NS31至NS33可以電耦接至接地選擇線GSL0[0105]共源極線CSL可以電耦接至NAND串NS。例如，在襯底5111之上的有源區(qū)之上，第一摻雜區(qū)5311至第四摻雜區(qū)5314可以電耦接。例如，第一摻雜區(qū)5311至第四摻雜區(qū)5314可以通過(guò)接觸電耦接至上層，在上層處，第一摻雜區(qū)5311至第四摻雜區(qū)5314可以電耦接。[0106]S卩，如圖8中所示，同一高度的字線WL可以電耦接。因此，當(dāng)在特定高度的某一字線WL被選中時(shí)，電耦接至某一字線WL的所有NAND串NS可以被選中。在不同行的NAND串NS可以電耦接至不同的源極選擇線SSL。因此，在電耦接至同一字線WL的NAND串NS之中，在未選行中的NAND串NS可以通過(guò)選擇源極選擇線SSLl至SSL3之一而與位線BLl至BL3電隔離。換句話說(shuō)，NAND串NS的行可以通過(guò)選擇源極選擇線SSLl至SSL3中的一個(gè)而被選中。此外，在選中行中的NAND串NS可以通過(guò)選擇位線BLl至BL3之一而以列為單位被選中。[0107]在每個(gè)NAND串NS中，可以設(shè)置虛設(shè)存儲(chǔ)單元DMC。在圖8中，虛設(shè)存儲(chǔ)單元DMC在每個(gè)NAND串NS中設(shè)置在第三存儲(chǔ)單元MC3與第四存儲(chǔ)單元MC4之間。S卩，第一存儲(chǔ)單元MCl至第三存儲(chǔ)單元MC3可以設(shè)置在虛設(shè)存儲(chǔ)單元DMC與接地選擇晶體管GST之間。第四存儲(chǔ)單元MC4至第六存儲(chǔ)單元MC6可以設(shè)置在虛設(shè)存儲(chǔ)單元DMC與源極選擇晶體管SST之間。每個(gè)NAND串NS的存儲(chǔ)單元MC可以被虛設(shè)存儲(chǔ)單元DMC劃分為存儲(chǔ)單元組。在劃分的存儲(chǔ)單元組中，鄰近接地選擇晶體管GST的存儲(chǔ)單元(例如，MCl至MC3)可以被稱為下存儲(chǔ)單元組，鄰近源極選擇晶體管SST的存儲(chǔ)單元(例如，MC4至MC6)可以被稱為上存儲(chǔ)單元組。[0108]在下文中，當(dāng)根據(jù)實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)中的存儲(chǔ)器件用第二結(jié)構(gòu)(其不同于第一結(jié)構(gòu))的三維(3D)非易失性存儲(chǔ)器件來(lái)實(shí)現(xiàn)時(shí)，將參照?qǐng)D9至圖11做出詳細(xì)描述。[0109]圖9是示意性示出用根據(jù)實(shí)施例的三維(3D)非易失性存儲(chǔ)器件(其具有不同于上面參照?qǐng)D5至圖8描述的第一結(jié)構(gòu)的第二結(jié)構(gòu))來(lái)實(shí)現(xiàn)的存儲(chǔ)器件的透視圖。圖9示出了在圖4的多個(gè)存儲(chǔ)塊中的具有第二結(jié)構(gòu)的一個(gè)存儲(chǔ)塊BLKj，圖10是示出沿圖9的線VI1-VIIr截取的存儲(chǔ)塊BLKj的剖視圖。[0110]參照?qǐng)D9和圖10，存儲(chǔ)塊BLKj可以包括沿第一方向至第三方向延伸的結(jié)構(gòu)。[0111]可以設(shè)置有襯底6311。例如，襯底6311可以包括摻雜有第一類型雜質(zhì)的硅材料。例如，襯底6311可以包括摻雜有P型雜質(zhì)的硅材料，或可以是P型阱(例如，袋型P阱)，并且包括圍繞P型阱的η型阱。雖然為了簡(jiǎn)化說(shuō)明在實(shí)施例中描述了襯底6311是P型硅，但是注意的是，襯底6311不局限于P型硅。[0112]沿X軸方向和y軸方向延伸的第一導(dǎo)電材料6321至第四導(dǎo)電材料6324設(shè)置在襯底6311之上。第一導(dǎo)電材料6321至第四導(dǎo)電材料6324沿z軸方向分離預(yù)定距離。[0113]沿X軸方向和y軸方向延伸的第五導(dǎo)電材料6325至第八導(dǎo)電材料6328設(shè)置在襯底6311之上。第五導(dǎo)電材料6325至第八導(dǎo)電材料6328沿z軸方向分離預(yù)定距離。第五導(dǎo)電材料6325至第八導(dǎo)電材料6328沿y軸方向與第一導(dǎo)電材料6321至第四導(dǎo)電材料6324分咼。[0114]設(shè)置有穿過(guò)第一導(dǎo)電材料6321至第四導(dǎo)電材料6324的多個(gè)下柱體DP。每個(gè)下柱體DP沿z軸方向延伸。此外，設(shè)置有穿過(guò)第五導(dǎo)電材料6325至第八導(dǎo)電材料6328的多個(gè)上柱體UP。每個(gè)上柱體UP沿z軸方向延伸。[0115]下柱體DP和上柱體UP中的每個(gè)柱體包括內(nèi)部材料6361、中間層6362和表面層6363。中間層6362用作單元晶體管的溝道。表面層6363包括阻擋電介質(zhì)層、電荷儲(chǔ)存層和隧道電介質(zhì)層。[0116]下柱體DP和上柱體UP通過(guò)管柵PG電耦接。管柵PG可以布置在襯底6311中。例如，管柵PG可以包括與下柱體DP和上柱體UP相同的材料。[0117]沿X軸方向和y軸方向延伸的第二類型的摻雜材料6312設(shè)置在下柱體DP之上。例如，第二類型的摻雜材料6312可以包括η型硅材料。第二類型的摻雜材料6312用作共源極線CSL。[0118]漏極6340設(shè)置在上柱體UP之上。例如，漏極6340可以包括η型硅材料。沿y軸方向延伸的第一上導(dǎo)電材料6351和第二上導(dǎo)電材料6352設(shè)置在漏極6340之上。[0119]第一上導(dǎo)電材料6351和第二上導(dǎo)電材料6352沿X軸方向分離。第一上導(dǎo)電材料6351和第二上導(dǎo)電材料6352可以由金屬形成。第一上導(dǎo)電材料6351和第二上導(dǎo)電材料6352與漏極6340可以通過(guò)接觸插塞彼此電耦接。第一上導(dǎo)電材料6351和第二上導(dǎo)電材料6352分別用作第一位線BLl和第二位線BL2。[0120]第一導(dǎo)電材料6321用作源極選擇線SS1，第二導(dǎo)電材料6322用作第一虛設(shè)字線DWLl，第三導(dǎo)電材料6323和第四導(dǎo)電材料6324分別用作第一主字線MffLl和第二主字線MWL2。第五導(dǎo)電材料6325和第六導(dǎo)電材料6326分別用作第三主字線MWL3和第四主字線MWL4，第七導(dǎo)電材料6327用作第二虛設(shè)字線DWL2，第八導(dǎo)電材料6328用作漏極選擇線DSL0[0121]下柱體DP和鄰近下柱體DP的第一導(dǎo)電材料6321至第四導(dǎo)電材料6324形成下串。上柱體UP和鄰近上柱體UP的第五導(dǎo)電材料6325至第八導(dǎo)電材料6328形成上串。下串和上串通過(guò)管柵PG電耦接。下串的一端電耦接至用作共源極線CSL的第二類型的摻雜材料6312。上串的一端通過(guò)漏極6340耦接至對(duì)應(yīng)的位線。一個(gè)下串和一個(gè)上串形成電耦接在第二類型的摻雜材料6312(用作共源極線CSL)與上導(dǎo)電材料層6351和6352中對(duì)應(yīng)的一個(gè)(用作位線BL)之間的一個(gè)單元串。[0122]S卩，下串包括源極選擇晶體管SST、第一虛設(shè)存儲(chǔ)單元DMCl以及第一主存儲(chǔ)單元MMCl和第二主存儲(chǔ)單元MMC2。上串包括第三主存儲(chǔ)單元MMC3、第四主存儲(chǔ)單元MMC4、第二虛設(shè)存儲(chǔ)單元DMC2和漏極選擇晶體管DST。[0123]在圖9和圖10中，上串和下串可以形成NAND串NS，NAND串NS可以包括多個(gè)晶體管結(jié)構(gòu)TS。由于以上參照?qǐng)D7詳細(xì)描述了包括在圖9和圖10的NAND串NS中的晶體管結(jié)構(gòu)，因此這里將省略其詳細(xì)描述。[0124]圖11是示出具有上面參照?qǐng)D9和圖10所描述的第二結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)塊BLKj的等效電路圖。為了簡(jiǎn)化說(shuō)明，僅示出了在以第二結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)的存儲(chǔ)塊BLKj中形成對(duì)的第一串和第二串。[0125]參照?qǐng)D11，在具有第二結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)塊BLKj中，如以上參照?qǐng)D9和圖10所描述的，可以成對(duì)地設(shè)置單元串，每個(gè)單元串用通過(guò)管柵PG電耦接的一個(gè)上串和一個(gè)下串來(lái)實(shí)現(xiàn)。[0126]在具有第二結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)塊BLKj中，例如，沿第一溝道CHl(未顯示)層疊的存儲(chǔ)單元CGO至CG31、一個(gè)或更多個(gè)源極選擇柵極SSGl和一個(gè)或更多個(gè)漏極選擇柵極DSGl可以形成第一串ST1，例如，沿第二溝道CH2(未顯示)層疊的存儲(chǔ)單元CGO至CG31、一個(gè)或更多個(gè)源極選擇柵極SSG2和一個(gè)或更多個(gè)漏極選擇柵極DSG2可以形成第二串ST2。[0127]第一串STl和第二串ST2電耦接至同一漏極選擇線DSL和同一源極選擇線SSL。第一串STl電耦接至第一位線BL1，第二串ST2電耦接至第二位線BL2。[0128]雖然在圖11中描述了第一串STl和第二串ST2電耦接至同一漏極選擇線DSL和同一源極選擇線SSL，但是第一串STl和第二串ST2可以電耦接至同一源極選擇線SSL和同一位線BL，以及第一串STl電耦接至第一漏極選擇線DSLl且第二串ST2電耦接至第二漏極選擇線DSL2。在另一實(shí)施例中，第一串STl和第二串ST2可以電耦接至同一漏極選擇線DSL和同一位線BL，以及第一串STl電耦接至第一源極選擇線SSLl且第二串ST2電耦接至第二源極選擇線SSL2。在下文中，對(duì)于關(guān)于在根據(jù)實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)中的存儲(chǔ)器件的數(shù)據(jù)處理，具體地，數(shù)據(jù)編程(即，數(shù)據(jù)寫入操作)，將參照?qǐng)D12和圖13做出詳細(xì)描述。[0129]圖12是示出根據(jù)實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)中的存儲(chǔ)器件的數(shù)據(jù)處理操作的示意圖。在下文中，將對(duì)圖1中所示的存儲(chǔ)系統(tǒng)110中的數(shù)據(jù)處理進(jìn)行描述。例如，在將與從主機(jī)102接收的寫入命令對(duì)應(yīng)的寫入數(shù)據(jù)編程至包括在存儲(chǔ)器件150中的存儲(chǔ)塊152至156之前，存儲(chǔ)系統(tǒng)110可以將寫入數(shù)據(jù)儲(chǔ)存在包括在控制器130的存儲(chǔ)器144中的緩沖器/高速緩存器(例如，寫入緩沖器/高速緩存器)中。此時(shí)，鑒于寫入數(shù)據(jù)的大小和對(duì)應(yīng)存儲(chǔ)器的頁(yè)的大小，儲(chǔ)存在緩沖器/高速緩存器中的寫入數(shù)據(jù)可以被編程/寫入至對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)塊的頁(yè)中。[0130]另外，雖然以下作為示例將描述控制器130在存儲(chǔ)系統(tǒng)110中執(zhí)行數(shù)據(jù)處理操作，但是注意的是，如上所述，包括在控制器130中的處理器134可以執(zhí)行數(shù)據(jù)處理操作。此夕卜，雖然以下作為示例將描述與從主機(jī)102接收的寫入命令對(duì)應(yīng)的寫入數(shù)據(jù)被儲(chǔ)存在包括在控制器130的存儲(chǔ)器144中的緩沖器/高速緩存器中，但是注意的是，寫入數(shù)據(jù)可以被儲(chǔ)存在包括在以上參照?qǐng)D3描述的存儲(chǔ)器件300中的多個(gè)鎖存器或多個(gè)頁(yè)緩沖器322、324和326中，或者被儲(chǔ)存在外部存儲(chǔ)器件中。[0131]此外，在下面的實(shí)施例中，與從主機(jī)102接收的寫入命令對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)被儲(chǔ)存在緩沖器/高速緩存器中。在檢查儲(chǔ)存在緩沖器/高速緩存器中的數(shù)據(jù)的大小(例如，數(shù)據(jù)塊大小(chunksize))之后，通過(guò)檢查與數(shù)據(jù)的被查大小對(duì)應(yīng)的空閑頁(yè)，即，通過(guò)檢查能夠編程/寫入數(shù)據(jù)的頁(yè)，將數(shù)據(jù)編程/寫入至存儲(chǔ)器件150的對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)塊的頁(yè)中?？梢酝ㄟ^(guò)代表開(kāi)始編程/寫入數(shù)據(jù)的頁(yè)及其數(shù)量或大小來(lái)定義空閑頁(yè)。[0132]在實(shí)施例中，在實(shí)現(xiàn)有存儲(chǔ)器件150的多個(gè)存儲(chǔ)塊的存儲(chǔ)芯片中，存儲(chǔ)塊被分組為超級(jí)塊。通過(guò)檢查超級(jí)塊中的空閑頁(yè)，與從主機(jī)102接收的寫入命令對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)通過(guò)一次編程(oneshotprogramming)、多平面編程(mult1-planeprogramming)和單平面(oneplaneprogramming)編程被編程在存儲(chǔ)器件150的超級(jí)塊中。在下文中，作為示例將描述:數(shù)據(jù)塊大小為64KB的數(shù)據(jù)可以通過(guò)一次編程被同時(shí)編程/寫入在包括在超級(jí)塊中的頁(yè)中，數(shù)據(jù)塊大小為32KB的數(shù)據(jù)可以通過(guò)多平面編程被同時(shí)編程/寫入在包括在超級(jí)塊中的頁(yè)中，以及數(shù)據(jù)塊大小為16KB的數(shù)據(jù)可以通過(guò)單平面編程被同時(shí)編程/寫入在包括在超級(jí)塊中的頁(yè)中。[0133]參照?qǐng)D12，控制器130將與從主機(jī)102接收的寫入命令對(duì)應(yīng)的寫入數(shù)據(jù)儲(chǔ)存在包括在控制器130的存儲(chǔ)器144中的緩沖器1200中，然后將儲(chǔ)存在緩沖器1200中的數(shù)據(jù)編程(即，寫入和儲(chǔ)存)在實(shí)現(xiàn)有多個(gè)存儲(chǔ)塊的多個(gè)存儲(chǔ)芯片中。[0134]例如，詳細(xì)地，控制器130將與從主機(jī)102接收的寫入命令對(duì)應(yīng)的例如數(shù)據(jù)6、數(shù)據(jù)8、數(shù)據(jù)3和數(shù)據(jù)10的寫入數(shù)據(jù)儲(chǔ)存在緩沖器1200中。[0135]控制器130檢查儲(chǔ)存在緩沖器1200中的數(shù)據(jù)的大小，即，數(shù)據(jù)6、數(shù)據(jù)8、數(shù)據(jù)3和數(shù)據(jù)10的數(shù)據(jù)塊大小。在下文中，作為示例將描述:數(shù)據(jù)6的數(shù)據(jù)塊大小是64KB，數(shù)據(jù)8的數(shù)據(jù)塊大小是32K，數(shù)據(jù)3的數(shù)據(jù)塊大小是16K，以及數(shù)據(jù)10的數(shù)據(jù)塊大小是8K。[0136]如上所述，存儲(chǔ)器件150包括其中實(shí)現(xiàn)有多個(gè)存儲(chǔ)塊的多個(gè)存儲(chǔ)芯片，例如，第零存儲(chǔ)芯片1210至第四存儲(chǔ)芯片1290。包括在存儲(chǔ)器件150中的存儲(chǔ)芯片1210、1230、1250、1270和1290中的每個(gè)存儲(chǔ)芯片中的多個(gè)存儲(chǔ)塊被分組為超級(jí)塊。[0137]在下文中，作為示例將描述:兩個(gè)存儲(chǔ)塊被分組為一個(gè)超級(jí)塊。然而，注意的是，根據(jù)存儲(chǔ)器件150的容量和數(shù)據(jù)編程性能，兩個(gè)或更多個(gè)存儲(chǔ)塊可以被分組為一個(gè)超級(jí)塊，多個(gè)超級(jí)塊(多個(gè)存儲(chǔ)塊被分組至多個(gè)超級(jí)塊中的每個(gè)超級(jí)塊)可以包括在存儲(chǔ)芯片1210至1290中的每個(gè)存儲(chǔ)芯片中。此外，在下文中，作為示例將描述:在存儲(chǔ)芯片1210、1230、1250,1270和1290中，相同數(shù)量的存儲(chǔ)塊被分組為的一個(gè)超級(jí)塊，S卩，在存儲(chǔ)器件150的所有存儲(chǔ)芯片1210、1230、1250、1270和1290中，兩個(gè)存儲(chǔ)塊被分組為一個(gè)超級(jí)塊。然而，注意的是，在存儲(chǔ)器件150的存儲(chǔ)芯片1210、1230、1250、1270和1290中，不同數(shù)量的存儲(chǔ)塊可以實(shí)現(xiàn)一個(gè)超級(jí)塊，即，包括在各個(gè)存儲(chǔ)芯片1210、1230、1250、1270和1290的超級(jí)塊中的存儲(chǔ)塊的數(shù)量可以不同。[0138]多個(gè)頁(yè)包括在存儲(chǔ)塊(包括在存儲(chǔ)芯片1210、1230、1250、1270和1290的各個(gè)超級(jí)塊中)中的每個(gè)存儲(chǔ)塊中。在下文中，作為示例將描述:包括在多個(gè)存儲(chǔ)塊(或平面(plane))中的多個(gè)頁(yè)的大小，換句話說(shuō)，能夠被編程/寫入至多個(gè)頁(yè)中的每個(gè)頁(yè)中的數(shù)據(jù)的大小(即，數(shù)據(jù)塊大小)是16KB。[0139]例如，第零芯片1210包括第四超級(jí)塊1215，第四超級(jí)塊1215包括兩個(gè)存儲(chǔ)塊，SP，第八平面1217和第九平面1219，每個(gè)平面包括多個(gè)頁(yè)。在存儲(chǔ)芯片1210的超級(jí)塊1215中，包括在平面1217和1219中的每個(gè)平面中的多個(gè)頁(yè)的大小(即，作為能夠被編程在每頁(yè)中的數(shù)據(jù)的大小的數(shù)據(jù)塊大小)是16KB。[0140]在數(shù)據(jù)6、數(shù)據(jù)8、數(shù)據(jù)3和數(shù)據(jù)10被儲(chǔ)存在緩沖器1200中之前，包括在超級(jí)塊1215的平面1217和1219中的第零頁(yè)和第一頁(yè)已經(jīng)編程其他數(shù)據(jù)，因此，在超級(jí)塊1215中能夠被數(shù)據(jù)編程的頁(yè)(即，在超級(jí)塊1215中作為空閑頁(yè)的起始頁(yè))是平面1217的第二頁(yè)。也就是說(shuō)，從平面1217的第二頁(yè)開(kāi)始執(zhí)行將數(shù)據(jù)編程在存儲(chǔ)芯片1210的超級(jí)塊1215中。[0141]在超級(jí)塊1215中作為空閑頁(yè)的編程頁(yè)是平面1217和1219的第二頁(yè)和第三頁(yè)。換句話說(shuō)，可以在平面1217和1219的第二頁(yè)和第三頁(yè)中執(zhí)行將數(shù)據(jù)編程在存儲(chǔ)芯片1210的超級(jí)塊1215中。S卩，可以在存儲(chǔ)芯片1210的超級(jí)塊1215中執(zhí)行一次編程。因此，具有64KB大小來(lái)作為數(shù)據(jù)塊大小的數(shù)據(jù)通過(guò)一次編程被編程在超級(jí)塊1215的空閑頁(yè)中。[0142]因此，存儲(chǔ)芯片1210的超級(jí)塊1215中的空閑頁(yè)表示:平面1217的第二頁(yè)是編程起始頁(yè)，平面1217和1219的第二頁(yè)和第三頁(yè)可通過(guò)一次編程而被編程，因此具有64KB數(shù)據(jù)塊大小的數(shù)據(jù)可以被編程。即，存儲(chǔ)芯片1210的超級(jí)塊1215中的空閑頁(yè)表示:可以通過(guò)把平面1217的第二頁(yè)作為起始頁(yè)而以64KB數(shù)據(jù)塊大小來(lái)執(zhí)行一次編程。[0143]此外，第一芯片1230包括第三超級(jí)塊1235，第三超級(jí)塊1235包括兩個(gè)存儲(chǔ)塊，SP，第六平面1237和第七平面1239，每個(gè)平面包括多個(gè)頁(yè)。在存儲(chǔ)芯片1230的超級(jí)塊1235中，包括在平面1237和1239中的每個(gè)平面中的多個(gè)頁(yè)的大小(即，作為能夠被編程在每頁(yè)中的數(shù)據(jù)的大小的數(shù)據(jù)塊大小)是16KB。[0144]在數(shù)據(jù)6、數(shù)據(jù)8、數(shù)據(jù)3和數(shù)據(jù)10被儲(chǔ)存在緩沖器1200中之前，包括在超級(jí)塊1235的平面1237和1239中的第零頁(yè)已經(jīng)編程其他數(shù)據(jù)，因此，在超級(jí)塊1235中能夠被數(shù)據(jù)編程的頁(yè)(即，在超級(jí)塊1235中作為空閑頁(yè)的起始頁(yè))是平面1237的第一頁(yè)。也就是說(shuō)，從平面1237的第一頁(yè)開(kāi)始執(zhí)行將數(shù)據(jù)編程在存儲(chǔ)芯片1230的超級(jí)塊1235中。[0145]在超級(jí)塊1235中作為空閑頁(yè)的編程頁(yè)是平面1237和1239的第一頁(yè)。換句話說(shuō)，可以在平面1237和1239的第一頁(yè)中執(zhí)行將數(shù)據(jù)編程在存儲(chǔ)芯片1230的超級(jí)塊1235中。即，可以在存儲(chǔ)芯片1230的超級(jí)塊1235中執(zhí)行多平面編程。因此，具有32KB大小來(lái)數(shù)據(jù)塊大小的數(shù)據(jù)可通過(guò)多平面編程被編程在超級(jí)塊1235的空閑頁(yè)中。[0146]因此，存儲(chǔ)芯片1230的超級(jí)塊1235中的空閑頁(yè)表示:平面1237的第一頁(yè)是編程起始頁(yè)，平面1237和1239的第一頁(yè)可通過(guò)多平面編程而被編程，因此具有32KB數(shù)據(jù)塊大小的數(shù)據(jù)可以被編程。即，存儲(chǔ)芯片1230的超級(jí)塊1235中的空閑頁(yè)表示:可以通過(guò)把平面1237的第一頁(yè)作為起始頁(yè)而以32KB數(shù)據(jù)塊大小來(lái)執(zhí)行多平面編程。[0147]另外，第二芯片1250包括第二超級(jí)塊1255，第二超級(jí)塊1255包括兩個(gè)存儲(chǔ)塊，SP，第四平面1257和第五平面1259，每個(gè)平面包括多個(gè)頁(yè)。在存儲(chǔ)芯片1250的超級(jí)塊1255中，包括在平面1257和1259中的每個(gè)平面中的多個(gè)頁(yè)的大小(即，作為能夠被編程在每頁(yè)中的數(shù)據(jù)的大小的數(shù)據(jù)塊大小)是16KB。[0148]在數(shù)據(jù)6、數(shù)據(jù)8、數(shù)據(jù)3和數(shù)據(jù)10被儲(chǔ)存在緩沖器1200中之前，包括在超級(jí)塊1255的平面1257中的第零頁(yè)已經(jīng)編程其他數(shù)據(jù)，因此，在超級(jí)塊1255中能夠被數(shù)據(jù)編程的頁(yè)(即，在超級(jí)塊1255中作為空閑頁(yè)的起始頁(yè))是平面1259的第零頁(yè)。也就是說(shuō)，從平面1259的第零頁(yè)開(kāi)始執(zhí)行將數(shù)據(jù)編程在存儲(chǔ)芯片1250的超級(jí)塊1255中。[0149]在超級(jí)塊1255中作為空閑頁(yè)的編程頁(yè)是平面1259的第零頁(yè)。換句話說(shuō)，可以在平面1259的第零頁(yè)中執(zhí)行將數(shù)據(jù)編程在存儲(chǔ)芯片1250的超級(jí)塊1255中。S卩，可以在存儲(chǔ)芯片1250的超級(jí)塊1255中執(zhí)行單平面編程。因此，具有16KB大小來(lái)作為數(shù)據(jù)塊大小的數(shù)據(jù)可通過(guò)單平面編程被編程在超級(jí)塊1255中的空閑頁(yè)中。[0150]因此，存儲(chǔ)芯片1250的超級(jí)塊1255中的空閑頁(yè)表示:平面1259的第零頁(yè)作為編程起始頁(yè)可通過(guò)單平面編程而被編程，因此具有16KB數(shù)據(jù)塊大小的數(shù)據(jù)可以被編程。SP，存儲(chǔ)芯片1250的超級(jí)塊1255中的空閑頁(yè)表示:可以通過(guò)把平面1259的第零頁(yè)作為起始頁(yè)而以16KB數(shù)據(jù)塊大小來(lái)執(zhí)行單平面編程。[0151]此外，第三芯片1270包括第一超級(jí)塊1275，第一超級(jí)塊1275包括兩個(gè)存儲(chǔ)塊，SP，第二平面1277和第三平面1279，每個(gè)平面包括多個(gè)頁(yè)。在存儲(chǔ)芯片1270的超級(jí)塊1275中，包括在平面1277和1279中的每個(gè)平面中的多個(gè)頁(yè)的大小(即，作為能夠被編程在每頁(yè)中的數(shù)據(jù)的大小的數(shù)據(jù)塊大小)是16KB。[0152]在數(shù)據(jù)6、數(shù)據(jù)8、數(shù)據(jù)3和數(shù)據(jù)10被儲(chǔ)存在緩沖器1200中之前，包括在超級(jí)塊1275的平面1277中的第零頁(yè)已經(jīng)編程其他數(shù)據(jù)，因此，在超級(jí)塊1275中能夠被數(shù)據(jù)編程的頁(yè)(即，在超級(jí)塊1275中作為空閑頁(yè)的起始頁(yè))是平面1279的第零頁(yè)。也就是說(shuō)，從平面1279的第零頁(yè)開(kāi)始執(zhí)行將數(shù)據(jù)編程在存儲(chǔ)芯片1270的超級(jí)塊1275中。[0153]在超級(jí)塊1275中作為空閑頁(yè)的編程頁(yè)是平面1279的第零頁(yè)。換句話說(shuō)，可以在平面1279的第零頁(yè)中執(zhí)行將數(shù)據(jù)編程在存儲(chǔ)芯片1270的超級(jí)塊1275中。S卩，可以在存儲(chǔ)芯片1270的超級(jí)塊1275中執(zhí)行單平面編程。因此，具有16KB大小來(lái)作為數(shù)據(jù)塊大小的數(shù)據(jù)可通過(guò)單平面編程而被編程在超級(jí)塊1275中的空閑頁(yè)中。[0154]因此，存儲(chǔ)芯片1270的超級(jí)塊1275中的空閑頁(yè)表示:平面1279的第零頁(yè)作為編程起始頁(yè)可通過(guò)單平面編程而編程，因此具有16KB數(shù)據(jù)塊大小的數(shù)據(jù)可以被編程。S卩，存儲(chǔ)芯片1270的超級(jí)塊1275中的空閑頁(yè)表示:可以通過(guò)把平面1279的第零頁(yè)作為起始頁(yè)而以16KB數(shù)據(jù)塊大小來(lái)執(zhí)行單平面編程。[0155]此外，第四芯片1290包括第零超級(jí)塊1295，第零超級(jí)塊1295包括兩個(gè)存儲(chǔ)塊，SP，第零平面1297和第一平面1299，每個(gè)平面包括多個(gè)頁(yè)。在存儲(chǔ)芯片1290的超級(jí)塊1295中，包括在平面1297和1299中的每個(gè)平面中的多個(gè)頁(yè)的大小(即，作為能夠被編程在每頁(yè)中的數(shù)據(jù)的大小的數(shù)據(jù)塊大小)是16KB。[0156]在超級(jí)塊1295中作為空閑頁(yè)的起始頁(yè)是平面1297的第零頁(yè)。換句話說(shuō)，可以從平面1297的第零頁(yè)開(kāi)始執(zhí)行將數(shù)據(jù)編程在存儲(chǔ)芯片1290的超級(jí)塊1295中。[0157]在超級(jí)塊1295中作為空閑頁(yè)的編程頁(yè)是平面1297和1299的第零頁(yè)和第一頁(yè)。換句話說(shuō)，可以在平面1297和1299的第零頁(yè)和第一頁(yè)中執(zhí)行將數(shù)據(jù)編程在存儲(chǔ)芯片1290的超級(jí)塊1295中。S卩，可以在存儲(chǔ)芯片1290的超級(jí)塊1295中執(zhí)行一次編程。因此，具有64KB大小作為數(shù)據(jù)塊大小的數(shù)據(jù)可通過(guò)一次編程而被編程在超級(jí)塊1295的空閑頁(yè)中。[0158]因此，存儲(chǔ)芯片1290的超級(jí)塊1295中的空閑頁(yè)表示:平面1297的第零頁(yè)是編程起始頁(yè)，平面1297和1299的第零頁(yè)和第一頁(yè)可通過(guò)一次編程而編程，因此具有64KB數(shù)據(jù)塊大小的數(shù)據(jù)可以被編程。即，存儲(chǔ)芯片1290的超級(jí)塊1295中的空閑頁(yè)表示:可以通過(guò)把平面1297的第零頁(yè)作為起始頁(yè)而以64KB數(shù)據(jù)塊大小來(lái)執(zhí)行一次編程。[0159]如上所述，控制器130檢查儲(chǔ)存在緩沖器1200中的數(shù)據(jù)6、數(shù)據(jù)8、數(shù)據(jù)3和數(shù)據(jù)10的數(shù)據(jù)塊大小。也就是說(shuō)，控制器130檢查出:數(shù)據(jù)6的數(shù)據(jù)塊大小是64KB，數(shù)據(jù)8的數(shù)據(jù)塊大小是32KB，數(shù)據(jù)3的數(shù)據(jù)塊大小是16KB，數(shù)據(jù)10的數(shù)據(jù)塊大小是8KB。[0160]另外，如上所述，為了將儲(chǔ)存在緩沖器1200中的數(shù)據(jù)6、數(shù)據(jù)8、數(shù)據(jù)3和數(shù)據(jù)10編程并儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器件150中，控制器130檢查相應(yīng)存儲(chǔ)芯片1210、1230、1250、1270和1290中的超級(jí)塊1215、1235、1255、1275和1295的空閑頁(yè)。[0161]S卩，控制器130在存儲(chǔ)芯片1210的超級(jí)塊1215中檢查出:可以通過(guò)將平面1217的第二頁(yè)作為起始頁(yè)而以64KB數(shù)據(jù)塊大小來(lái)執(zhí)行一次編程，以及在存儲(chǔ)芯片1230的超級(jí)塊1235中檢查出:可以通過(guò)將平面1237的第一頁(yè)作為起始頁(yè)而以32KB數(shù)據(jù)塊大小來(lái)執(zhí)行多平面編程。此外，控制器130在存儲(chǔ)芯片1250的超級(jí)塊1255中檢查出:可以通過(guò)將平面1259的第零頁(yè)作為起始頁(yè)而以16KB數(shù)據(jù)塊大小來(lái)執(zhí)行單平面編程，在存儲(chǔ)芯片1270的超級(jí)塊1275中檢查出:可以通過(guò)將平面1279的第零頁(yè)作為起始頁(yè)而以16KB數(shù)據(jù)塊大小來(lái)執(zhí)行單平面編程，以及在存儲(chǔ)芯片1290的超級(jí)塊1295中檢查出:可以通過(guò)將平面1297的第零頁(yè)作為起始頁(yè)而以64KB數(shù)據(jù)塊大小來(lái)執(zhí)行一次編程。[0162]在如上所述來(lái)檢查相應(yīng)存儲(chǔ)芯片1210、1230、1250、1270和1290中的超級(jí)塊1215、1235、1255、1275和1295的空閑頁(yè)之后，控制器130確定能夠通過(guò)一次編程來(lái)將具有64KB大小的數(shù)據(jù)6編程在存儲(chǔ)芯片1210的超級(jí)塊1215和存儲(chǔ)芯片1290的超級(jí)塊1295中。根據(jù)頁(yè)地址的優(yōu)先級(jí)，控制器130將數(shù)據(jù)6編程在存儲(chǔ)芯片1210的超級(jí)塊1215中。也就是說(shuō)，控制器130通過(guò)一次編程來(lái)將具有64KB大小的數(shù)據(jù)6編程在存儲(chǔ)芯片1210的超級(jí)塊1215中的平面1217和1219的第二頁(yè)和第三頁(yè)中。[0163]在存儲(chǔ)芯片1210的超級(jí)塊1215和存儲(chǔ)芯片1290的超級(jí)塊1295未被檢查為能夠通過(guò)一次編程而用具有64KB大小的數(shù)據(jù)6來(lái)編程的超級(jí)塊的情況下，控制器130將數(shù)據(jù)6一次編程在存儲(chǔ)芯片的在執(zhí)行數(shù)據(jù)6的一次編程之后產(chǎn)生最小數(shù)量的無(wú)效頁(yè)的超級(jí)塊中。例如，控制器130通過(guò)一次編程將具有64KB大小的數(shù)據(jù)6編程在存儲(chǔ)芯片1230的超級(jí)塊1235中的平面1237和1239的第二頁(yè)和第三頁(yè)中。[0164]在如上所述來(lái)檢查相應(yīng)存儲(chǔ)芯片1210、1230、1250、1270和1290中的超級(jí)塊1215、1235、1255、1275和1295的空閑頁(yè)之后，控制器130確定能夠通過(guò)多平面編程來(lái)將具有32KB大小的數(shù)據(jù)8編程在存儲(chǔ)芯片1230的超級(jí)塊1235中。控制器130將數(shù)據(jù)8編程在存儲(chǔ)芯片1230的超級(jí)塊1235中。也就是說(shuō)，控制器130通過(guò)多平面編程來(lái)將具有32KB大小的數(shù)據(jù)8編程在存儲(chǔ)芯片1230的超級(jí)塊1235中的平面1237和1239的第一頁(yè)中。[0165]在存儲(chǔ)芯片1230的超級(jí)塊1235未被檢查為能夠通過(guò)多平面編程而用具有32KB大小的數(shù)據(jù)8來(lái)編程的超級(jí)塊的情況下，控制器130將數(shù)據(jù)8多平面編程在存儲(chǔ)芯片的在執(zhí)行數(shù)據(jù)8的多平面編程之后產(chǎn)生最小數(shù)量的無(wú)效頁(yè)的超級(jí)塊中。例如，控制器130根據(jù)頁(yè)地址的優(yōu)先級(jí)，通過(guò)多平面編程將具有32KB大小的數(shù)據(jù)8編程在存儲(chǔ)芯片1250和1270之中的存儲(chǔ)芯片1250的超級(jí)塊1255中的平面1257和1259的第一頁(yè)中。[0166]在如上所述來(lái)檢查相應(yīng)存儲(chǔ)芯片1210、1230、1250、1270和1290中的超級(jí)塊1215、1235、1255、1275和1295的空閑頁(yè)之后，控制器130確定能夠通過(guò)單平面編程來(lái)將具有16KB大小的數(shù)據(jù)3編程在存儲(chǔ)芯片1250的超級(jí)塊1255和存儲(chǔ)芯片1270的超級(jí)塊1275中。根據(jù)頁(yè)地址的優(yōu)先級(jí)，控制器130將數(shù)據(jù)3編程在存儲(chǔ)芯片1250的超級(jí)塊1255中。也就是說(shuō)，控制器130通過(guò)單平面編程來(lái)將具有16KB大小的數(shù)據(jù)3編程在存儲(chǔ)芯片1250的超級(jí)塊1255中的平面1259的第零頁(yè)中。[0167]在存儲(chǔ)芯片1250的超級(jí)塊1255和存儲(chǔ)芯片1270的超級(jí)塊1275未被檢查為能夠通過(guò)單平面編程而用具有16KB大小的數(shù)據(jù)3來(lái)編程的超級(jí)塊的情況下，控制器130將數(shù)據(jù)3單平面編程在存儲(chǔ)芯片的在執(zhí)行數(shù)據(jù)3的單平面編程之后產(chǎn)生最小數(shù)量的無(wú)效頁(yè)的超級(jí)塊中。例如，控制器130通過(guò)單平面編程將具有16KB大小的數(shù)據(jù)3編程在存儲(chǔ)芯片1290的超級(jí)塊1295中的平面1297的第零頁(yè)中。[0168]在如上所述來(lái)檢查相應(yīng)存儲(chǔ)芯片1210、1230、1250、1270和1290中的超級(jí)塊1215、1235、1255、1275和1295的空閑頁(yè)之后，控制器130確定能夠通過(guò)單平面編程來(lái)將具有8KB大小的數(shù)據(jù)10編程在存儲(chǔ)芯片1250的超級(jí)塊1255和存儲(chǔ)芯片1270的超級(jí)塊1275中。由于數(shù)據(jù)3被編程在存儲(chǔ)芯片1250的超級(jí)塊1255中，因此控制器130將數(shù)據(jù)10編程在存儲(chǔ)芯片1270的超級(jí)塊1275中。也就是說(shuō)，控制器130通過(guò)單平面編程來(lái)將具有8KB大小的數(shù)據(jù)10編程在存儲(chǔ)芯片1270的超級(jí)塊1275中的平面1279的第零頁(yè)中。由于具有16KB大小的數(shù)據(jù)可以被編程在存儲(chǔ)芯片1270的超級(jí)塊1275中的平面1279的第零頁(yè)中，因此控制器130在將具有8KB大小的數(shù)據(jù)10編程在平面1279的第零頁(yè)中之后，將虛設(shè)數(shù)據(jù)或空數(shù)據(jù)編程在具有8KB大小的其余頁(yè)區(qū)中。[0169]在存儲(chǔ)芯片1250的超級(jí)塊1255和存儲(chǔ)芯片1270的超級(jí)塊1275未被檢查為能夠通過(guò)單平面編程而用具有8KB大小的數(shù)據(jù)10來(lái)編程的超級(jí)塊的情況下，控制器130將數(shù)據(jù)10單平面編程在存儲(chǔ)芯片的在執(zhí)行數(shù)據(jù)10的單平面編程之后產(chǎn)生最小數(shù)量的無(wú)效頁(yè)的超級(jí)塊中。例如，控制器130通過(guò)單平面編程將具有8KB大小的數(shù)據(jù)10編程在存儲(chǔ)芯片1290的超級(jí)塊1295中的平面1297的第零頁(yè)中。[0170]結(jié)果，在根據(jù)實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)110中，檢查與從主機(jī)102接收的寫入命令對(duì)應(yīng)的寫入數(shù)據(jù)的大小以及包括在存儲(chǔ)器件150中且具有存儲(chǔ)塊的存儲(chǔ)芯片中的超級(jí)塊(即，存儲(chǔ)塊的組)的空閑頁(yè)。也就是說(shuō)，檢查寫入數(shù)據(jù)的大小以及在存儲(chǔ)芯片的相應(yīng)超級(jí)塊中的編程/寫入起始頁(yè)和可編程/可寫入頁(yè)的大小。寫入數(shù)據(jù)被編程/寫入在對(duì)應(yīng)存儲(chǔ)芯片的超級(jí)塊中。寫入數(shù)據(jù)可以通過(guò)一次編程、多平面編程或單平面編程被編程/寫入在對(duì)應(yīng)存儲(chǔ)芯片的超級(jí)塊中。在下文中，將參照?qǐng)D13來(lái)詳細(xì)描述在根據(jù)實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)中處理數(shù)據(jù)的操作。[0171]圖13是示出在根據(jù)實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)中處理數(shù)據(jù)的操作過(guò)程的示意性流程圖。[0172]參照?qǐng)D13，在步驟1310處，存儲(chǔ)系統(tǒng)檢查從主機(jī)請(qǐng)求的寫入數(shù)據(jù)的大小。換句話說(shuō)，如果與從主機(jī)接收的寫入命令對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)被儲(chǔ)存在緩沖器/高速緩存器中，那么檢查儲(chǔ)存在緩沖器/高速緩存器中的數(shù)據(jù)的大小，即，數(shù)據(jù)塊大小。[0173]在步驟1320處，為了將儲(chǔ)存在緩沖器/高速緩存器中的數(shù)據(jù)編程和儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器件中，在包括在存儲(chǔ)器件150中且具有存儲(chǔ)塊的存儲(chǔ)芯片中檢測(cè)超級(jí)塊(即，存儲(chǔ)塊的組)的空閑頁(yè)。即，檢查存儲(chǔ)芯片的超級(jí)塊中的編程/寫入起始頁(yè)和可編程/可寫入頁(yè)的大小。[0174]在步驟1330處，鑒于儲(chǔ)存在緩沖器/高速緩存器中的數(shù)據(jù)的大小以及存儲(chǔ)芯片的存儲(chǔ)塊中的編程/寫入起始頁(yè)和可編程/可寫入頁(yè)的大小，通過(guò)一次編程、多平面編程或單平面編程將儲(chǔ)存在緩沖器/高速緩存器中的數(shù)據(jù)編程/寫入在對(duì)應(yīng)存儲(chǔ)芯片的存儲(chǔ)塊中。[0175]由于以上參照?qǐng)D12詳細(xì)描述了存儲(chǔ)器件150中的數(shù)據(jù)處理，例如，具體地通過(guò)一次編程、多平面編程或單平面編程，將儲(chǔ)存在緩沖器/高速緩存器中的數(shù)據(jù)編程/寫入在包括在存儲(chǔ)器件150中且具有多個(gè)存儲(chǔ)塊的存儲(chǔ)芯片中的操作，因此這里將省略其詳細(xì)描述。[0176]如從以上描述所明顯的，根據(jù)實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)及其操作方法可以使存儲(chǔ)器件的效率最大化，并且可以快速且穩(wěn)定地處理來(lái)自存儲(chǔ)器件的數(shù)據(jù)。[0177]雖然已經(jīng)出于說(shuō)明性目的描述了各種實(shí)施例，但是對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)明顯的是，在不脫離如所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以做出各種改變和變型。[0178]通過(guò)以上實(shí)施例可見(jiàn)，本申請(qǐng)可以提供以下技術(shù)方案。[0179]技術(shù)方案1.一種存儲(chǔ)系統(tǒng)，包括:[0180]存儲(chǔ)器件，包括多個(gè)存儲(chǔ)芯片，每個(gè)存儲(chǔ)芯片包括被分組為一個(gè)或更多個(gè)超級(jí)塊的多個(gè)存儲(chǔ)塊，其中，每個(gè)存儲(chǔ)塊包括適用于儲(chǔ)存從主機(jī)請(qǐng)求的寫入數(shù)據(jù)的多個(gè)頁(yè)；以及[0181]控制器，適用于檢查寫入數(shù)據(jù)的大小和超級(jí)塊的空閑頁(yè)，確定超級(jí)塊之中的基于被查空閑頁(yè)而與寫入數(shù)據(jù)的被查大小對(duì)應(yīng)的第一超級(jí)塊，以及將寫入數(shù)據(jù)編程在第一超級(jí)塊的存儲(chǔ)塊中。[0182]技術(shù)方案2.根據(jù)技術(shù)方案I所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中，控制器檢查包括在存儲(chǔ)芯片中的相應(yīng)超級(jí)塊中的編程起始頁(yè)和可編程頁(yè)來(lái)作為空閑頁(yè)。[0183]技術(shù)方案3.根據(jù)技術(shù)方案2所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中，當(dāng)寫入數(shù)據(jù)的大小是第一大小時(shí)，控制器通過(guò)一次編程將寫入數(shù)據(jù)編程在第一超級(jí)塊的存儲(chǔ)塊中的從編程起始頁(yè)開(kāi)始的可編程頁(yè)中。[0184]技術(shù)方案4.根據(jù)技術(shù)方案3所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中，第一大小大于第一超級(jí)塊的存儲(chǔ)塊的相應(yīng)頁(yè)的總大小，以及可編程頁(yè)包括第一超級(jí)塊的每個(gè)存儲(chǔ)塊的一個(gè)或更多個(gè)頁(yè)。[0185]技術(shù)方案5.根據(jù)技術(shù)方案2所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中，當(dāng)寫入數(shù)據(jù)的大小是第二大小時(shí)，控制器通過(guò)多平面編程將寫入數(shù)據(jù)編程在第一超級(jí)塊的存儲(chǔ)塊中的從編程起始頁(yè)開(kāi)始的可編程頁(yè)中。[0186]技術(shù)方案6.根據(jù)技術(shù)方案5所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中，第二大小大于第一超級(jí)塊的存儲(chǔ)塊的一個(gè)頁(yè)的大小，以及可編程頁(yè)包括第一超級(jí)塊的兩個(gè)或更多個(gè)存儲(chǔ)塊的頁(yè)。[0187]技術(shù)方案7.根據(jù)技術(shù)方案2所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中，當(dāng)寫入數(shù)據(jù)的大小是第三大小時(shí)，控制器通過(guò)單平面編程將寫入數(shù)據(jù)編程在第一超級(jí)塊的存儲(chǔ)塊中的從編程起始頁(yè)開(kāi)始的可編程頁(yè)中。[0188]技術(shù)方案8.根據(jù)技術(shù)方案7所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中，第三大小等于第一超級(jí)塊的存儲(chǔ)塊的一個(gè)頁(yè)的大小，以及可編程頁(yè)包括第一超級(jí)塊的一個(gè)存儲(chǔ)塊的頁(yè)。[0189]技術(shù)方案9.根據(jù)技術(shù)方案7所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，[0190]其中，第三大小小于第一超級(jí)塊的存儲(chǔ)塊的一個(gè)頁(yè)的大小，以及[0191]其中，控制器在編程寫入數(shù)據(jù)之后，將虛設(shè)數(shù)據(jù)或空數(shù)據(jù)編程在可編程頁(yè)的其余頁(yè)區(qū)中。[0192]技術(shù)方案10.根據(jù)技術(shù)方案I所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中，當(dāng)兩個(gè)或更多個(gè)超級(jí)塊被檢查為超級(jí)塊之中的第一超級(jí)塊時(shí)，控制器基于頁(yè)地址的優(yōu)先級(jí)來(lái)將所述兩個(gè)或更多個(gè)超級(jí)塊中的一個(gè)超級(jí)塊確定為第一超級(jí)塊。[0193]技術(shù)方案11.根據(jù)技術(shù)方案I所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中，當(dāng)兩個(gè)或更多個(gè)超級(jí)塊被檢查為超級(jí)塊之中的第一超級(jí)塊時(shí)，控制器基于編程性能來(lái)將所述兩個(gè)或更多個(gè)超級(jí)塊中的一個(gè)超級(jí)塊確定為第一超級(jí)塊。[0194]技術(shù)方案12.—種操作存儲(chǔ)系統(tǒng)的方法，包括:[0195]檢查與從主機(jī)接收的寫入命令對(duì)應(yīng)的寫入數(shù)據(jù)的大小，以及檢查多個(gè)超級(jí)塊的空閑頁(yè)，其中，存儲(chǔ)器件的多個(gè)存儲(chǔ)塊被分組為超級(jí)塊并且每個(gè)存儲(chǔ)塊包括多個(gè)頁(yè)；[0196]確定超級(jí)塊之中的基于被查空閑頁(yè)而與寫入數(shù)據(jù)的被查大小對(duì)應(yīng)的第一超級(jí)塊；以及[0197]將寫入數(shù)據(jù)編程在第一超級(jí)塊的存儲(chǔ)塊中。[0198]技術(shù)方案13.根據(jù)技術(shù)方案12所述的方法，其中，檢查空閑頁(yè)的步驟包括:[0199]檢查相應(yīng)超級(jí)塊中的編程起始頁(yè)和可編程頁(yè)。[0200]技術(shù)方案14.根據(jù)技術(shù)方案13所述的方法，其中，當(dāng)寫入數(shù)據(jù)的大小是第一大小時(shí)，編程寫入數(shù)據(jù)的步驟包括:[0201]通過(guò)一次編程將寫入數(shù)據(jù)編程在第一超級(jí)塊的存儲(chǔ)塊的可編程頁(yè)中，[0202]其中，編程寫入數(shù)據(jù)的步驟從第一超級(jí)塊的存儲(chǔ)塊中的編程起始頁(yè)開(kāi)始。[0203]技術(shù)方案15.根據(jù)技術(shù)方案14所述的方法，其中，第一大小大于第一超級(jí)塊的存儲(chǔ)塊的相應(yīng)頁(yè)的總大小，以及可編程頁(yè)包括第一超級(jí)塊的每個(gè)存儲(chǔ)塊的一個(gè)或更多個(gè)頁(yè)。[0204]技術(shù)方案16.根據(jù)技術(shù)方案13所述的方法，其中，當(dāng)寫入數(shù)據(jù)的大小是第二大小時(shí)，編程寫入數(shù)據(jù)的步驟包括:[0205]通過(guò)多平面編程將寫入數(shù)據(jù)編程在第一超級(jí)塊的存儲(chǔ)塊中的可編程頁(yè)中，[0206]其中，編程寫入數(shù)據(jù)的步驟從第一超級(jí)塊的存儲(chǔ)塊中的編程起始頁(yè)開(kāi)始。[0207]技術(shù)方案17.根據(jù)技術(shù)方案16所述的方法，其中，第二大小大于第一超級(jí)塊的存儲(chǔ)塊的一個(gè)頁(yè)的大小，以及可編程頁(yè)包括第一超級(jí)塊的兩個(gè)或更多個(gè)存儲(chǔ)塊的頁(yè)。[0208]技術(shù)方案18.根據(jù)技術(shù)方案13所述的方法，其中，當(dāng)寫入數(shù)據(jù)的大小是第三大小時(shí)，編程寫入數(shù)據(jù)的步驟包括:[0209]通過(guò)單平面編程將寫入數(shù)據(jù)編程在第一超級(jí)塊的存儲(chǔ)塊中的可編程頁(yè)中，[0210]其中，編程寫入數(shù)據(jù)的步驟從第一超級(jí)塊的存儲(chǔ)塊中的編程起始頁(yè)開(kāi)始。[0211]技術(shù)方案19.根據(jù)技術(shù)方案18所述的方法，其中，第三大小等于第一超級(jí)塊的存儲(chǔ)塊的一個(gè)頁(yè)的大小，以及可編程頁(yè)包括第一超級(jí)塊的一個(gè)存儲(chǔ)塊的頁(yè)。[0212]技術(shù)方案20.根據(jù)技術(shù)方案18所述的方法，[0213]其中，第三大小小于第一超級(jí)塊的存儲(chǔ)塊的一個(gè)頁(yè)的大小，以及[0214]其中，編程寫入數(shù)據(jù)的步驟還包括:[0215]將虛設(shè)數(shù)據(jù)或空數(shù)據(jù)編程在可編程頁(yè)的其余頁(yè)區(qū)中?！局鳈?quán)項(xiàng)】1.一種存儲(chǔ)系統(tǒng)，包括:存儲(chǔ)器件，包括多個(gè)存儲(chǔ)芯片，每個(gè)存儲(chǔ)芯片包括被分組為一個(gè)或更多個(gè)超級(jí)塊的多個(gè)存儲(chǔ)塊，其中，每個(gè)存儲(chǔ)塊包括適用于儲(chǔ)存從主機(jī)請(qǐng)求的寫入數(shù)據(jù)的多個(gè)頁(yè)；以及控制器，適用于檢查寫入數(shù)據(jù)的大小和超級(jí)塊的空閑頁(yè)，確定超級(jí)塊之中的基于被查空閑頁(yè)而與寫入數(shù)據(jù)的被查大小對(duì)應(yīng)的第一超級(jí)塊，以及將寫入數(shù)據(jù)編程在第一超級(jí)塊的存儲(chǔ)塊中。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中，控制器檢查包括在存儲(chǔ)芯片中的相應(yīng)超級(jí)塊中的編程起始頁(yè)和可編程頁(yè)來(lái)作為空閑頁(yè)。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中，當(dāng)寫入數(shù)據(jù)的大小是第一大小時(shí)，控制器通過(guò)一次編程將寫入數(shù)據(jù)編程在第一超級(jí)塊的存儲(chǔ)塊中的從編程起始頁(yè)開(kāi)始的可編程頁(yè)中。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中，第一大小大于第一超級(jí)塊的存儲(chǔ)塊的相應(yīng)頁(yè)的總大小，以及可編程頁(yè)包括第一超級(jí)塊的每個(gè)存儲(chǔ)塊的一個(gè)或更多個(gè)頁(yè)。5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中，當(dāng)寫入數(shù)據(jù)的大小是第二大小時(shí)，控制器通過(guò)多平面編程將寫入數(shù)據(jù)編程在第一超級(jí)塊的存儲(chǔ)塊中的從編程起始頁(yè)開(kāi)始的可編程頁(yè)中。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中，第二大小大于第一超級(jí)塊的存儲(chǔ)塊的一個(gè)頁(yè)的大小，以及可編程頁(yè)包括第一超級(jí)塊的兩個(gè)或更多個(gè)存儲(chǔ)塊的頁(yè)。7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中，當(dāng)寫入數(shù)據(jù)的大小是第三大小時(shí)，控制器通過(guò)單平面編程將寫入數(shù)據(jù)編程在第一超級(jí)塊的存儲(chǔ)塊中的從編程起始頁(yè)開(kāi)始的可編程頁(yè)中。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中，第三大小等于第一超級(jí)塊的存儲(chǔ)塊的一個(gè)頁(yè)的大小，以及可編程頁(yè)包括第一超級(jí)塊的一個(gè)存儲(chǔ)塊的頁(yè)。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中，第三大小小于第一超級(jí)塊的存儲(chǔ)塊的一個(gè)頁(yè)的大小，以及其中，控制器在編程寫入數(shù)據(jù)之后，將虛設(shè)數(shù)據(jù)或空數(shù)據(jù)編程在可編程頁(yè)的其余頁(yè)區(qū)中。10.一種操作存儲(chǔ)系統(tǒng)的方法，包括:檢查與從主機(jī)接收的寫入命令對(duì)應(yīng)的寫入數(shù)據(jù)的大小，以及檢查多個(gè)超級(jí)塊的空閑頁(yè)，其中，存儲(chǔ)器件的多個(gè)存儲(chǔ)塊被分組為超級(jí)塊并且每個(gè)存儲(chǔ)塊包括多個(gè)頁(yè)；確定超級(jí)塊之中的基于被查空閑頁(yè)而與寫入數(shù)據(jù)的被查大小對(duì)應(yīng)的第一超級(jí)塊；以及將寫入數(shù)據(jù)編程在第一超級(jí)塊的存儲(chǔ)塊中?！疚臋n編號(hào)】G11C16/10GK105989885SQ201510728214【公開(kāi)日】2016年10月5日【申請(qǐng)日】2015年10月30日【發(fā)明人】宋旻梧【申請(qǐng)人】愛(ài)思開(kāi)海力士有限公司