技術編號:7523574
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。本實用新型是一種高壓電子波形發(fā)生裝置,以常規(guī)波形發(fā)生器為基準信號源,采用高壓波形輸出端電壓負反饋,控制一對金屬半導體場效應管MOSFET(以下簡稱M1、M2)的通斷,驅動兩個串聯(lián)的等值高壓直流電源,向電容器充放電,從而產生高壓電子波形。背景技術通常使用的電子波形發(fā)生器大多采用電子振蕩或者電子開關的方式,由于電路本身的結構和電源電壓的限制,輸出的波形電壓一般不超過正負10V,只能用于弱電領域。隨著科學技術的發(fā)展,低壓波形發(fā)生器已經遠遠不能滿足當前科學研究、技...
注意:該技術已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權人授權前,僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權,增加技術思路,做技術知識儲備,不適合論文引用。
該類技術注重原理思路,無完整電路圖,適合研究學習。