技術(shù)編號：7533607
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。與相關(guān)申請的交叉參考本申請基于并要求2002年7月19日申請的在先日本專利申請No.2002-211536和2003年1月28日申請的在先日本專利申請?zhí)?003-019271的優(yōu)先權(quán)，在此引入其全部內(nèi)容作為參考。通常，為了減小CMOS(互補(bǔ)MOS)電路的功耗，實際上是減小驅(qū)動電源電壓。但是，減小電源電壓導(dǎo)致降低運行速度，如果在沒有折衷考慮運行速度的情況下減小功耗，那么不得不降低MOS晶體管的閾值電壓。降低MOS晶體管的閾值電壓導(dǎo)致MOS電路更快的開關(guān)操作，...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。