技術(shù)編號：7535242
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種功率VMOS管的驅(qū)動(dòng)電路，確切地說，涉及一種用于脈寬調(diào)制(PWM)集成電路芯片對開關(guān)用的功率VMOS管的雙隔離驅(qū)動(dòng)電路，屬于電子電路。VMOS場效應(yīng)管是在硅片表面上刻蝕出V型凹槽，并利用雙擴(kuò)散或外延生長等工藝在槽內(nèi)制成的集成電路器件。由于其能利用立體結(jié)構(gòu)提高集成密度，且溝道短、寬長比可以做得很大，沒有二次擊穿效應(yīng)等優(yōu)點(diǎn)，可以制成擊穿電壓高達(dá)千余伏的功率VMOS場效應(yīng)管和高密度大規(guī)模集成電路，在作為高頻大功率有源器件上獲得廣泛應(yīng)用。例如，在現(xiàn)代...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲(chǔ)備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。