技術(shù)編號(hào):7535722
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及紅外焦平面陣列探測(cè)器領(lǐng)域,尤其是涉及一種紅外焦平面陣列探測(cè)器讀出電路的ADC余量放大電路。 背景技術(shù)所有物體均發(fā)射與其溫度和物質(zhì)特性相關(guān)的熱輻射,環(huán)境溫度附近物體的熱輻射大多位于紅外波段,波長(zhǎng)為Iym (微米)到24μπι左右。紅外輻射提供了客觀世界的豐富信息,將不可見(jiàn)的紅外輻射轉(zhuǎn)換成可測(cè)量的信號(hào),充分利用這些信息是人們追求的目標(biāo)。紅外焦平面陣列是獲取景物紅外光輻射信息的重要光電器件。自1973年美國(guó)羅門(mén)空軍發(fā)展中心首先提出用于紅外熱成像的硅化物...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路,無(wú)完整電路圖,適合研究學(xué)習(xí)。