技術(shù)編號:7538589
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及對例如MOSFET(Metal Oxide Semiconductor FieldEffect Transistor金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)及IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor絕緣柵雙極型晶體管)等功率半導(dǎo)體元件進(jìn)行驅(qū)動控制的、由例如智能功率模塊(以下稱作I PM)等多個功率控制用半導(dǎo)體模塊并聯(lián)連接而構(gòu)成的功率用半導(dǎo)體裝置。背景技術(shù) 關(guān)于對例如MOSFET及IGBT(Insulated Gate B...
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該類技術(shù)注重原理思路,無完整電路圖,適合研究學(xué)習(xí)。