技術編號：8020354
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。技術領域本發(fā)明涉及，更詳細地說，涉及用于發(fā)光二極管、X射線光學元件、開關元件、放大元件、光傳感器等高溫半導體電子元件的襯底晶片等的。背景技術 SiC(碳化硅)與Si(硅)或GaAs(砷化鎵)等現(xiàn)有的半導體材料相比，不僅耐熱性能及機械強度好，放射線強，而且通過添加雜質，容易控制電子或空穴的價電子，具有較寬的禁帶寬度(順便提一下，在6H型的SiC單晶的情況下約為3.0eV，在4H型的SiC單晶的情況下為3.26eV)，所以能實現(xiàn)用上述現(xiàn)有的半導體材料所不能實現(xiàn)的大容量、高頻特性、耐壓特性、耐環(huán)境特性等，作為下一代功率器...
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