技術(shù)編號：8022376
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明屬于半導(dǎo)體材料制備領(lǐng)域。具體來說，涉及一種利用表面活 性劑制備表面平整的高質(zhì)量氧化鋅薄膜的方法，尤其是在極性氧化鋅薄 膜的外延過程中，通過添加堿金屬或堿土金屬作為表面活性劑來進(jìn)行雜 質(zhì)誘導(dǎo)生長，從而獲得具有器件級平整度的氧化鋅薄膜的方法。背景技術(shù)Zn0作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有許多的優(yōu)良特性，諸如壓電、 透明導(dǎo)電、氣敏等物理性質(zhì)，使其在透明導(dǎo)電薄膜、表面聲波器件、壓 電陶瓷及氣敏傳感器等方面已經(jīng)有著廣泛的應(yīng)用。作為一種直接躍遷型 II-VI族半導(dǎo)體，ZnO室溫禁帶寬度為3. 37eV，和GaN接...
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