技術(shù)編號(hào):8030300
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種對(duì)半導(dǎo)體元件、搭載半導(dǎo)體芯片的基板、布線基板、 平板型顯示裝置基板等電子裝置的基板或被處理物實(shí)施等離子處理的方 法及其處理裝置、利用該等離子處理制造電子裝置的制造方法。背景技術(shù)以往,在利用等離子對(duì)硅半導(dǎo)體等被處理物表面進(jìn)行氧化、氮化、氧 氮化,或在被處理物表面上形成氧化膜、氮化膜、氧氮化膜、聚硅膜、有機(jī)EL膜等,或蝕刻被處理表面之際的等離子處理中,利用單一的稀有氣 體產(chǎn)生等離子。作為稀有氣體,為了減小對(duì)被處理物的等離子損傷,從而 采用與電子的碰撞截面積大、等離子的電子溫度低的氪(Kr)氣和氙(...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。