技術編號：8030378
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。技術領域本發(fā)明涉及，尤其涉及通過規(guī)定晶片的位錯密度(EPD腐蝕坑密度)及殘留應力值，在使用GaAs晶片制造電子器件的過程中進行的離子注入(ion implantation)后的活性化退火這樣的熱處理中，不會發(fā)生滑動位錯的。背景技術 作為半絕緣性GaAs晶片的制造方法，通常的方法有LEC法(液封直拉法)以及縱型熔融液法(垂直布里奇曼法(VB法)、垂直溫度梯度凝固法(VGF法))該兩種。下面，對各方法進行說明。參照圖1說明采用LEC法的GaAs單晶的制造方法。LEC法的GaAs單晶制造裝置1是具有作為爐體部分的腔2、用...
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