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      一種多晶氧化鋅薄膜材料的制備方法技術(shù)資料下載

      技術(shù)編號(hào):8030679

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      技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明屬于化合物半導(dǎo)體納米薄膜材料的制備技術(shù),具體涉及。背景技術(shù) 氧化鋅作為一種直接帶隙寬禁帶半導(dǎo)體材料,在透明光電子學(xué)、半導(dǎo)體發(fā)光等領(lǐng)域有著巨大的潛在應(yīng)用。氧化鋅材料與氮化鎵晶格常數(shù)比較相近,因此氧化鋅可作為一種很好的襯底緩沖層材料,用于生長(zhǎng)氮化鎵薄膜。然而,氧化鋅材料相對(duì)于氮化鎵材料,更具有優(yōu)越性。首先氧化鋅材料更容易實(shí)現(xiàn)單晶生長(zhǎng),其次氧化鋅材料具有更大激子結(jié)合能。由于氧化鋅的寬禁帶特性,它在藍(lán)一紫光、綠光、白光發(fā)光器件的制備有著廣泛的應(yīng)用。氧化鋅材料具有很好的抗高能輻射的能力,因此它在空間技術(shù)領(lǐng)域有著...
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