技術(shù)編號：8032378
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及大型單晶體的高溫生長，特別涉及高質(zhì)量碳化硅單晶體生 長的方法和裝置。背景技術(shù)碳化硅經(jīng)常被用作一種半導(dǎo)體材料。碳化硅具有很寬的帶隙、很低的 介電常數(shù)，并且在遠高于其它半導(dǎo)體材料如硅已變得不穩(wěn)定的溫度下仍 很穩(wěn)定。這些以及其它特征使碳化硅具有優(yōu)良的半導(dǎo)體特性。由碳化硅更高的溫度、更快的速度和更高的輻射密度下工作。那些對半導(dǎo)體固態(tài)物理學(xué)和性能都很熟悉的技術(shù)人員都知道半導(dǎo)體 材料必須具有特定的性質(zhì)才能用作電子設(shè)備的加工材料。在許多場合中， 所需的單晶體要求具有較低的晶格缺陷以及較低的化學(xué)和物理雜質(zhì)。如 果...
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