技術(shù)編號(hào)：8040426
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本實(shí)用新型涉及一種發(fā)光二極體網(wǎng)絡(luò)，特別是關(guān)于一種以交流(AC)驅(qū)動(dòng)用的發(fā)光二極體網(wǎng)絡(luò)。背景技術(shù)發(fā)光二極體(Light Emitting Diode, LED)與一般二極體的結(jié)構(gòu)相同，即在半導(dǎo)體基板上具有一 N型區(qū)及一 P型區(qū)。N型區(qū)與P型區(qū)交界處形成一 PN接面，在PN接面形成的瞬間，N型區(qū)中的多數(shù)載子(電子)會(huì)向P型區(qū)擴(kuò)散；P型區(qū)中的多數(shù)載子(電洞)會(huì)向N型區(qū)擴(kuò)散，此外，N型區(qū)中的少數(shù)載子(電洞)會(huì)向P型區(qū)漂移，P型區(qū)中的少數(shù)載子(電子) 會(huì)向N型區(qū)漂移，擴(kuò)散及漂移的電子電洞在PN接面附近結(jié)合，形成一空乏...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。