技術編號：8044351
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。技術領域本發(fā)明涉及用于從坩堝中所含的熔體拉伸由硅組成的單晶的方法，其中單晶在拉 伸期間被擋熱板包圍，擋熱板的下端與熔體表面具有距離h，其中氣體在單晶與擋熱板之間 的區(qū)域內(nèi)向下流動，而在擋熱板下端與硅熔體之間向外流動，及接著在擋熱板以外的區(qū)域 內(nèi)又向上流動。本發(fā)明還涉及可利用所述方法制得的單晶。背景技術已知上述生長單晶的方式是非常敏感的過程，會產(chǎn)生位錯和原子點缺陷形式的晶 體結(jié)構缺陷。此外還觀察到產(chǎn)生宏觀空隙，其是直徑為幾個微米至毫米的氣泡狀的空洞。其 不可與由聚集的原子空位形成的、直徑最大為幾百納米的C0P(晶體原...
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