技術(shù)編號：8047393
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及氧化硅(silica)玻璃坩堝以及硅錠(silicon ingot)的制造方法。 背景技術(shù)一般來講，單晶硅可通過在氧化硅玻璃坩堝內(nèi)熔化高純度的多晶硅而制得硅熔液，之后在該硅熔液中浸漬晶種端部的狀態(tài)下旋轉(zhuǎn)并提升來制得。氧化硅玻璃坩堝是由氧化硅玻璃形成的坩堝，通常，具有由合成氧化硅玻璃層 (以下稱作合成層)而成的內(nèi)側(cè)層和由天然氧化硅玻璃層(以下稱作天然層)而成的外側(cè)層的所構(gòu)成的兩層結(jié)構(gòu)。所謂合成層是對被化學(xué)合成的非晶質(zhì)或結(jié)晶質(zhì)的氧化硅(silicon oxide)粉熔化所得的物質(zhì)進(jìn)行固化而成的玻璃層，...
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