技術(shù)編號(hào)：8048239
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及到一種新型的雙介質(zhì)阻擋常壓等離子體自由基清洗噴槍，噴槍由雙介質(zhì)阻擋放電產(chǎn)生等離子體，在氣流的攜帶下通過噴口噴出，形成高濃度活性自由基束流，自由基束流不含金屬原子，對(duì)硅片等進(jìn)行清洗時(shí)，不會(huì)引入金屬雜質(zhì)。背景技術(shù)微電子工業(yè)中，在硅晶體管和集成電路生產(chǎn)中，幾乎每道工序都有硅片光刻膠清洗的問題，硅片清洗的好壞對(duì)器件性能有嚴(yán)重的影響。傳統(tǒng)上采用的是濕化學(xué)方法，缺點(diǎn)是不可控制、清洗不徹底、容易引入新的雜質(zhì)等，需要建立專門的回收處理站，目前的干法清洗設(shè)備，是在真空狀態(tài)下，使用等離子體對(duì)硅片表面直接清洗，這樣等離...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。