技術(shù)編號：8058453
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本實用新型涉及生產(chǎn)硅單晶的裝置，特別涉及一種用于生產(chǎn)直拉硅單晶的雙石英坩堝裝置。背景技術(shù)采用常規(guī)直拉法制備硅單晶時，首先將多晶硅料置于一個石英坩堝中，待多晶硅料完全熔化后，下降籽晶至與硅熔體液面接觸、穩(wěn)溫后，便可以進(jìn)行拉制單晶。由于摻雜物在固相中的溶解度小于其在液相中的溶解度，在硅單晶的拉制過程中，固液界面處會發(fā)生偏析現(xiàn)象，即處于固液交界處的摻雜劑只有部分隨硅熔體一同凝固為單晶，還有一部分則會進(jìn)入到硅熔體中。這樣就使得在硅單晶的拉制過程中，硅熔體中的摻雜物濃度會不斷提高，硅單晶的電阻率隨之降低，導(dǎo)致硅單晶的...
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