技術(shù)編號：8063617
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及硅酸釓晶體，特別是一種提拉法生長硅酸釓(Gd2SiO5，以下簡稱GSO)或稀土摻雜GSO晶體的方法。具體地講，是在晶體生長后期，采取特殊的收尾工藝使晶體的尾部與肩部形狀對稱一致，以減少晶體開裂的幾率。所生長的GSO或者CeGSO晶體可以廣泛應用于高能物理、核物理、核醫(yī)學、油井探測以及安全檢測等領(lǐng)域。背景技術(shù) 硅酸釓(Gd2SiO5，或GSO)是一種優(yōu)良的發(fā)光基質(zhì)晶體材料，稀土離子摻雜的GSO單晶體具有較好的發(fā)光性能。例如稀土鈰離子(Ce)摻雜的GSO晶體(CeGSO)就是一種性能優(yōu)良的高溫閃爍晶體...
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