技術(shù)編號：8066316
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。專利摘要本發(fā)明公開了一種新型單晶爐熱場，包括導(dǎo)流筒；其特征在于，所述導(dǎo)流筒表面設(shè)置有碳化硅涂層。本發(fā)明中的新型單晶爐熱場，由于采用設(shè)置碳化硅涂層的導(dǎo)流筒，可降低硅單晶棒生產(chǎn)能耗，可降低5%以上。使用本發(fā)明中的新型單晶爐熱場，拉制的N型<100>輕摻硅單晶的OISF可降低到100個/cm2以下。本發(fā)明中的新型單晶爐熱場，能有效改善硅單晶棒中的Fe含量，平均值為1.80E+10atoms/cm3，最大值6.91E+10atoms/cm3。擴(kuò)散長度達(dá)到450.2μm。專利說明新型單晶爐熱場、拉制輕摻硅單晶棒的...
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