技術(shù)編號：8070824
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。專利摘要本發(fā)明屬于光電材料領(lǐng)域，其公開了一種銪鋱摻雜二氧化鉿基的發(fā)光薄膜及其制備方法和電致發(fā)光器件；該發(fā)光薄膜的其化學(xué)通式為Hf1-x-yO2xEu2+,yTb3+；其中，HfO2是基質(zhì)，Eu2+和Tb3+是激活光離子，為發(fā)光薄膜的發(fā)光中心，x的取值范圍為0.01～0.05，y的取值范圍為0.005～0.03。銪鋱摻雜二氧化鉿基的發(fā)光薄膜，其電致發(fā)光譜（EL）中，在480nm和580nm位置有很強(qiáng)的發(fā)光峰。專利說明銪鋱摻雜二氧化鉿基的發(fā)光薄膜及其制備方法和電致發(fā)光器件 技術(shù)領(lǐng)域 [0001]本發(fā)明涉及光電材料領(lǐng)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。