技術(shù)編號：8070827
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。專利摘要本發(fā)明屬于光電材料領(lǐng)域，其公開了一種鈰摻雜氮氧硅鎵的發(fā)光薄膜及其制備方法和電致發(fā)光器件；該發(fā)光薄膜的其化學(xué)通式為aGa2-xO3-bSi3N4xCe3+；其中，aGa2-xO3-bSi3N4是基質(zhì)，Ce3+是激活光離子，為發(fā)光薄膜的發(fā)光中心x的取值范圍為0.001～0.04。鈰摻雜氮氧硅鎵的發(fā)光薄膜，其電致發(fā)光譜（EL）中，在535nm位置有很強(qiáng)的發(fā)光峰。專利說明鈰摻雜氮氧硅鎵的發(fā)光薄膜及其制備方法和電致發(fā)光器件 技術(shù)領(lǐng)域 [0001]本發(fā)明涉及光電材料領(lǐng)域，尤其涉及一種鈰摻雜氮氧硅鎵的發(fā)光薄膜及其制備...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。