技術(shù)編號：8082044
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。專利摘要一種MOCVD反應(yīng)爐屬于半導(dǎo)體外延生長領(lǐng)域，包括爐體、主盤部件和固定在爐體頂部的爐蓋部件。爐蓋部件的下表面有氫氣膜形成環(huán)組成，爐蓋部件上部有氫氣進(jìn)入口，為氫氣膜提供氫氣。主盤部件的副盤下表面邊緣處有齒狀結(jié)構(gòu)，與定齒輪相互嚙合。副盤置于一個由下保持架、陶瓷滾珠、上保持架組成一個部件上，保證了副盤旋轉(zhuǎn)的順暢。本技術(shù)方案中氫氣從爐蓋部件的氫氣進(jìn)口進(jìn)入，經(jīng)過氫氣膜形成環(huán)之間的縫隙在爐蓋的下表面形成氫氣膜。這層氫氣膜阻止了Ⅲ族源和Ⅴ族源氣流與爐蓋下表面接觸，解決了顆粒缺陷外延片問題。主盤在旋轉(zhuǎn)的時候，副盤在圍繞主盤的...
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